연말부터 2조여원 들여 전용팹 도입
하이닉스반도체가 연말부터 총 2조여원을 투입해 300㎜ 웨이퍼 생산라인 설비투자에 돌입한다.
특히 하이닉스는 300㎜ 웨이퍼 양산 라인에 곧바로 90나노미터(㎚)의 미세회로 공정을 적용, 최근 수년간의 기술투자 부진으로 발생한 공백을 일시에 만회한다는 전략이다.
4일 관련업계에 따르면 하이닉스는 300㎜ 웨이퍼 생산을 위한 파일럿 라인을 내년 2분기 중에 가동키로 하고 장비업체와 장비발주 상담에 착수했다.
하이닉스는 파일럿 라인의 수율이 검증 되는 내년 3분기부터 300㎜ 웨이퍼 양산 라인 설비투자에 나서 2005년초 본격 가동한다는 방침이다.
연내 장비발주가 시작될 파일럿 라인은 300㎜ 웨이퍼를 월 1000∼1500장 투입할 수 있는 생산능력을 갖출 예정이며 투자규모가 1000억원대에 달할 것으로 알려졌다. 300㎜ 웨이퍼를 본격 양산할 전용팹은 삼성전자의 12라인을 벤치마킹한 월 웨이퍼 4만장 생산규모로 총 2조여 원의 자금이 투입될 전망이다.
하이닉스는 우선 파일럿 라인의 경우 청주공장 M9라인에 구축할 계획이며, 양산 라인은 이천공장이나 해외공장에 새로운 팹을 증설하는 방안을 검토 중이다.
하이닉스는 특히 내년 상반기 가동에 들어가는 파일럿 라인에서는 불화크립톤(KrF) 노광장비를 이용한 0.1㎛ 공정을 적용한 데 이어 양산 라인부터는 불화아르곤(ArF) 노광장비를 투입 90㎚ 공정을 도입할 것으로 전해졌다.
이에 따라 하이닉스는 삼성전자, 인피니온테크놀로지 등 300㎜ 웨이퍼 양산 라인을 먼저 갖춘 경쟁업체들과의 투자 및 기술격차를 단번에 따라잡는 동시에 메이저 D램 업체로서 시장주도권을 유지할 수 있게 됐다.
장비업계 한 관계자는 “하이닉스는 이미 200㎜라인에서 0.1㎛ 공정을 성공적으로 수행한 경험이 있는데다 삼성전자에 이어 ArF 데모장비를 갖추고 있어 나노공정을 적용한 300㎜ 웨이퍼 생산기술도 쉽게 확보할 수 있을 것”이라며 “이미 삼성전자가 12라인에서 검증한 300㎜ 장비 및 시설투자를 벤치마킹할 수 있어 라인구축은 훨씬 쉬울 것”이라고 전망했다.
이에 대해 하이닉스 관계자는 “M9라인에 이미 클린롬 시설까지 갖추고 있어 시장상황이 호전되면 300㎜ 시설투자를 한다는 원칙적인 계획은 갖고 있는 것은 사실이지만 아직 확정된 것 없다”면서도 “300㎜ 시설투자는 확보한 예산을 바탕으로 조금씩 단계적으로 이뤄질 가능성이 크다”고 밝혔다.
<장지영기자 jyajang@etnews.co.kr>
