기가비트 D램시장 선점 `박차`

　삼성전자가 D램 나노공정을 300㎜ 웨이퍼뿐 아니라 200㎜ 웨이퍼에도 확대적용한다.

　이에 따라 삼성전자는 내년을 기점으로 거의 모든 반도체 생산라인(팹)에서 나노공정체제를 갖춰 차세대 기가비트 D램 메모리시장 선점에 박차를 가할 전망이다.

　김일웅 삼성전자 메모리사업부 상무는 “다음달 300㎜ 웨이퍼 전용라인인 12라인에 처음 도입하는 불화아르곤(ArF) 시스템을 9·10·11라인 등 200㎜ 라인에도 도입할 계획”이라고 23일 밝혔다.

　그는 “90나노급의 미세공정을 위해서는 노광공정에서 기존 불화크립톤(KrF)시스템을 대체해 ArF 시스템을 도입해야 하지만 200㎜ 라인의 경우 일부 핵심공정에 한해 ArF 시스템 한두 대만 설치하면 나노공정이 가능할 것”이라고 내다봤다.

　이에 따라 삼성전자는 당초 12라인에 먼저 ArF 시스템을 도입함으로써 향후 12·13라인 등 300㎜ 라인을 중심으로 나노공정을 적용할 것이라는 예상과 달리 200㎜와 300㎜를 가리지 않고 나노공정에 대비할 전망이다.

　특히 김 상무는 “90나노 D램 양산시점을 내년 2분기로 예상하고 있다”면서 “공정의 리스크를 감안해 300㎜보다 200㎜ 라인에서 먼저 양산이 시작될 가능성이 매우 크다”고 덧붙였다.

　삼성전자가 현재 양산단계에 돌입한 0.11㎛ 공정을 90나노로 업그레이드한다면 웨이퍼당 메모리 생산량은 49%나 늘어날 전망이다.

　아울러 나노공정 돌입시 고집적화를 통한 기가 D램 메모리 생산도 가능해 오는 2005년을 기점으로 노트북PC 등을 중심으로 폭발적인 수요가 예상되는 1기가 DDR D램시장에 적극적으로 대응할 수 있을 것으로 보인다.

　한편 삼성전자는 9·10·11라인 등 200㎜ 라인과 11라인 일부와 12라인 등 300㎜ 라인에서 연간 20억개의 D램을 생산하고 있다.　

<장지영기자 jyajang@etnews.co.kr>