하이닉스, 모바일용 초저전력 256M SD램 업계 최초 양산

　하이닉스반도체(대표 우의제 http://www.hynix.com)가 차세대 이동통신단말기·개인휴대단말기(PDA)·디지털카메라 등 휴대형 정보기기에 적합한 초저전력 SD램 개발에 성공, 업계 처음으로 양산에 들어갔다고 29일 밝혔다.

　이 제품은 회로선폭 0.13미크론(1㎛은 100만분의 1m)의 미세회로 공정기술을 적용한 256M SD램으로, 동작전압을 기존 3V 및 2.5V에서 1.8V로 낮춰 전력소모를 획기적으로 줄였다.

　전기·전자부문 국제표준화기구인 JEDEC이 인증한 소비전력 절감 규격인 ‘PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전)’ ‘TCSR(온도에 따라 충전속도 조절)’ ‘DPD(사용 중단시 D램 작동 차단)’ ‘DS(출력부 부하에 따라 소비전력 최소화)’ 등의 특수기능을 적용, 제품 성능을 높였다.

　또한 초소형 패키지 기술인 54볼 FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array) 채택으로 제품 크기를 기존 제품 대비 40% 이상 축소, 소형·경량화 추세에 대응했다.

　하이닉스반도체는 일반 SD램보다 1.5배 이상의 고부가가치 창출이 가능한 휴대 정보기기용 초저전력 SD램 시장을 겨냥해 ‘핸디 SD램’이란 브랜드로 시장공략에 나선다는 계획이다.

　한편 초저전력 SD램은 휴대형 정보기기의 대용량 메모리 제품 요구 충족, 배터리 사용시간 문제 개선 등의 효과에 힘입어 시장이 확대되는 추세며 1.8V 제품의 경우 2006년에 15억달러 규모의 시장을 형성할 전망이다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>