[e메일 인터뷰]리치아델로 ST플래시메모리사업부 총책임자

　하이닉스반도체와 ST마이크로일렉트로닉스간 협력이 급진전되고 있다.

　ST마이크로일렉트로닉스의 마리오 리치아델로 ST플래시메모리 사업부장은 본지와의 e메일 인터뷰에서 “양사의 기술협력이 잘 이뤄져 당초 예상보다 시장에 빨리 접근할 수 있을 것”이라고 밝혔다.

　리치아델로 사업부장은 “양사의 협력은 플래시메모리 설계에 대한 ST의 숙력된 기술과 하이닉스의 D램 공정 및 제조 노하우가 결합돼 상승작용을 일으킬 것”이라면서 “노어형에서 낸드형으로 제품 라인업을 확대해 기존 시장 선도력을 유지해 나갈 것”이라고 말했다.

　양사는 3분기에 스마트폰이나 PDA 등에 탑재할 512Mb 제품을 시작으로 128Mb에서 2Gb급에 이르기까지 풀 라인업을 갖출 계획이다. 또 공급전압도 휴대기기에 적합하도록 3V∼1.8V로 낮추는 한편, 그동안 각기 개발해온 90∼120나노미터(㎚)급 최첨단 공정기술을 결합해 양산성 제고에 힘을 쏟기로 했다.

　양사는 현재 빠른 시장진입을 위해 실무진이 한국과 유럽을 오가며 상시적으로 협력하고 있으며 다음주에는 이탈리아 ST현지법인에서 마케팅 실무진 회의를 갖고 향후 출시일정과 마케팅 계획을 논의하기로 했다.

　그는 현재 설립을 추진중인 국내 R&D센터에 대해 “R&D센터는 양사의 협력관계 및 제품개발을 더욱 촉진시킬 것”이라면서 “인원구성과 개발내용 등은 초기단계라서 자세히 알릴 수 없다”고 밝혔다.

　그는 “지난해 약 81억달러에 달했던 전체 플래시메모리 시장 중 낸드형 시장은 23억달러로 전체의 28%를 차지하는 등 크게 성장하고 있다”면서 “동영상 휴대폰, MP3플레이어, USB저장장치 등 대용량 멀티미디어 데이터 저장이 필요한 휴대기기 확산으로 꾸준한 성장세를 보일 것”이라고 전망했다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>