하이큐텍, 4인치 갈륨비소 SI 국산화

　에피웨이퍼 전문업체 하이큐텍(대표 윤영덕 http://http://www.hiqtech.com)은 고효율 전력증폭기 단일칩고주파집적회로(MMIC)의 원재료인 100㎜ ‘갈륨비소(GaAs) 반절연 웨이퍼(SI:Semi Insulator)’ 기판을 개발했다고 5일 밝혔다.

　GaAs 반절연 웨이퍼는 2.3㎓ 대역의 고주파, 저전압을 요구하는 차세대 이동통신기기용 반도체 제조의 핵심 원재료로 쓰이나 그동안 미국·일본 등에서 전량 수입에 의존해왔다. 이 재료의 국내 시장규모는 약 250억원으로 추정된다.

　하이큐텍은 자체 개발한 ‘수직경사응고법(VGF)’을 사용, GaAs 반절연 웨이퍼를 개발했기 때문에 결정결합밀도(EPD)가 단위제곱당 3000개 정도로 낮은 것이 특징이라고 설명했다.

　하이큐텍은 현재 이 제품을 시험생산중인데, 투자가 성공적으로 이뤄질 경우 5월께 월 7500장 규모로 양산하고, 9월에는 월 1만5000장으로 양산규모를 늘릴 계획이다.

　윤영덕 사장은 “발광다이오드(LED) 및 이동통신용 반도체 소자의 핵심 원재료는 수입 의존도가 높아 이번 100㎜ GaAs 반절연 웨이퍼 개발로 상당한 수입대체효과가 기대된다”고 말했다.

　<손재권기자 gjack@etnews.co.kr>