관련 통계자료 다운로드 대만업체 300mm 웨이퍼 팹 건설계획 메모리반도체시장이 아직 본격적인 회복세에 접어들지 못한 가운데 공급과잉에 대한 우려가 흘러나오고 있다.
니케이마켓액세스와 퓨처호라이즌스 등 시장조사업체들은 내년부터 한국과 일본·미국 등 주요 반도체업체들의 300㎜ 웨이퍼 생산능력이 크게 느는데다 대만 및 중국 반도체업체들의 대대적인 투자가 겹쳐 D램시장은 공급과잉 현상을 겪을 것이라고 전망했다.
니케이마켓액세스는 삼성전자를 비롯해 미 마이크론테크놀로지, 일 엘피다, 대만 파워칩세미컨덕터·프로모스테크놀로지 등이 내년에 300㎜ 웨이퍼 생산라인을 완전가동함에 따라 D램 생산량이 올해보다 66% 증가한 816.9페타비트에 달하게 돼 내년에 PC시장이 급속히 회복되더라도 최대 수요가 761.2페타비트에 불과해 7%대의 공급초과 현상이 나타난다고 전망했다.
영국 퓨처호라이즌스는 ‘12월 반도체산업 업데이트 뉴스레터’를 통해 대만이 오는 2005년 안에 가동을 목표로 하고 있는 웨이퍼 팹(FAB)이 11개에 달하고 중국에서도 같은 기간 25개의 200㎜ 웨이퍼 팹이 들어서기 때문에 2005년 반도체시장은 전반적으로 공급과잉이 우려된다고 밝혔다.
대만반도체산업협회(TSIA)의 회장 고든 셴의 말을 인용해 이같이 전망한 퓨처호라이즌스는 200㎜ 웨이퍼 팹에서는 주당 20만장의 웨이퍼를 생산할 수 있으며 11개의 300㎜ 웨이퍼 팹의 생산용량은 최소한 25개의 200㎜ 웨이퍼 팹의 용량에 해당하기 때문에 2005년이면 양국에서 늘어나는 생산량만 40만장(200㎜ 기준)에 달하게 된다고 설명했다. 이는 현재 전세계 웨이퍼 생산량 120만장의 3분의 1에 해당하는 수치다.
퓨처호라이즌스는 삼성전자·인텔·ST마이크로일렉트로닉스·텍사스인스트루먼츠(TI) 등의 주요 반도체업체들도 웨이퍼 팹을 추가로 건설하는 점을 감안하면 전세계 웨이퍼 처리능력은 오는 2005년까지 최소한 50% 이상 늘어나게 될 것으로 전망했다.
<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>
<표>
대만의 300㎜ 웨이퍼 팹 건설계획
업체명 팹명 생산제품 공정 건설 개시 연도
TSMC 팹 12 파운드리 130㎚ 2001
TSMC 팹 14 〃 〃 2002
TSMC 팹 15 〃 〃 2004
UMC 팹 12A 〃 〃 2001
UMC 팹 12B 〃 〃 2004
프로모스 팹 1B D램 140㎚ 2001
난야 팹 3 〃 140㎚ 2003
SiS 팹 2 로직·그래픽 150㎚ 2003
윈본드 팹 6 D램 110㎚ 2004
PSC 팹 2 256Mb 130㎚ 2002
MXIC 팹 4 플래시 130㎚ 2005
자료:퓨처호라이즌스
