삼성전자 나노메모리 상용화 성공

　삼성전자(대표 윤종용)가 ‘반도체 기가·나노 시대’를 본격화하며 메모리반도체 사업의 제2도약을 선언했다.

　삼성전자는 16일 서울 신라호텔에서 메모리 사업 관련 내외신 기자간담회를 갖고 꿈의 기술로 평가되는 90나노 D램 양산기술을 확보하고 업계 최초로 2기가 데이터저장형(NAND) 플래시메모리 시생산에 성공했다고 발표했다.

　또 삼성전자는 0.10미크론(㎛)의 반도체 공정기술벽을 뛰어넘은 90나노 기술을 적용해 NAND 플래시메모리 시생산에 성공하고 D램 양산기술을 확보함으로써 나노기술 상용화의 새로운 이정표를 세웠다고 밝혔다.

　메모리 분야에서 90나노 메모리 양산기술을 확보한 것은 삼성전자가 처음이며 현재의 주력공정인 0.12미크론급에 비해 생산성을 2배 이상 향상시킬 수 있어 시장 지배력은 한층 강화될 전망이다.

　2기가 NAND 플래시메모리는 엄지손가락만한 크기의 4기가바이트 메모리카드 제작을 가능하게 하며 기존 음악 CD 70장 또는 영화 비디오 테이프 4편의 데이터를 한꺼번에 저장할 수 있는 대용량 제품이다. 이에 따라 대용량 NAND 플래시메모리는 기존의 저장매체인 필름, 플로피디스크, 소용량의 하드디스크드라이브 등이 차지하고 있는 시장을 빠르게 대체해 나갈 전망이다.

　삼성전자는 월 2만장 생산규모의 300㎜ 웨이퍼 전용라인인 12라인을 내년 3분기부터 본격 가동해 이 제품을 양산하는 한편 회로선폭이 90나노인 차세대 512메가 및 1기가 D램도 함께 생산할 계획이다.

　이날 간담회에서 삼성전자 메모리사업부 황창규 사장은 “IT산업이 확산되면서 메모리반도체가 더욱 빠르게 진보하고 사용처가 모든 디지털 제품으로 다변화하면서 PC의존도를 급격히 낮추는 패러다임의 변화를 맞고 있다”며 1년 6개월 동안 집적도가 2배로 높아진다는 무어의 법칙을 넘어선 연간 2배 이상의 집적률을 보이게 된다는 ‘메모리 신성장론’을 제시했다.

　2001년부터 초고속 DDR SD램, 램버스 D램, 그래픽 D램 등의 비중을 70% 수준으로 확대하며 PC의존도를 낮춰온 삼성전자는 향후 서버·워크스테이션·휴대폰·게임기·디지털TV 등 IT 및 디지털 제품군으로 시장을 확대해 메모리 부문에서 2005년 140억달러, 2010년에는 250억달러 이상의 매출을 달성한다는 계획이다.

　<최정훈기자 jhchoi@etnews.co.kr>