프로모스, 中에 8인치 팹 건설 추진

　TSMC와 UMC에 이어 프로모스테크놀로지스도 중국내 8인치 웨이퍼 팹 건설을 검토하고 있는 것으로 밝혀졌다.

　대만 전자시보에 따르면 프로모스의 COO겸 대변인인 앨버트 린은 “오는 2005년까지 중국에 8인치 웨이퍼 팹을 건설하는 방안을 고려중”이라며 “이는 이사회와 주주의 승인을 받아야 한다”고 말했다.

　대만 정부는 자국 업체들이 중국에 팹을 건설하기 위한 자격으로 12인치 팹을 6개월 이상 중단없이 가동한 실적을 갖출 것을 요구하고 있다. 프로모스는 지난 3월 25일 12인치 팹의 가동에 들어가 오는 9월 25일이면 정부의 요구사항을 만족시키게 된다.

　린은 “12인치 팹은 표준 D램 제조에 적합하며 250㎚와 350㎚ 공정기술을 사용하는 기존 8인치 팹 장비는 중국으로 이전할 것”이라며 “이곳에서 1T 의사 S램이나 저전력 D램과 같은 니치 제품을 생산할 것”이라고 밝혔다.

　그는 또 “현재 140㎚ 공정기술을 사용하는 12인치 팹의 256Mb SD램 수율은 60%, 8인치 팹의 수율은 70%”라며 “다음 분기까지 수율을 각각 90%와 80%까지 끌어올릴 수 있을 것”이라고 덧붙였다.

　린에 따르면 프로모스는 12인치 생산단가가 내년초까지 8인치 수준에 이르게 되고 월간 12인치 웨이퍼 생산량이 1만8000장을 넘어서면 8인치 4만장과 같은 수준의 반도체 생산량을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

　<황도연기자 dyhwang@etnews.co.kr>