일 후지쯔, 나노튜브 이용 반도체 배선기술 개발

　일본 후지쯔연구소가 탄소 나노튜브를 이용한 시스템 반도체의 배선 기술을 개발했다고 니혼게이자이신문이 9일 보도했다. 나노튜브는 기존의 구리 배선보다 튼튼하고 저항이 적어 훨씬 효율적인 것으로 알려져 있다. 후지쯔는 반도체의 성능 향상이 한계에 이를 것으로 예상되는 5∼10년 후쯤에 이 기술을 상용화할 계획이다.

　후지쯔연구소는 메탄, 수소 가스, 플라즈마를 혼합해 트랜지스터 전극에 다층의 나노튜브를 형성함으로써 새로운 배선기술을 개발했다. 지름 50∼100㎚의 나노튜브들은 전극의 니켈이나 코발트의 농도를 조정한다.

　<한세희기자 hahn@etnews.co.kr>