"실리콘반도체 집적화 2010년 이후 한계 도달"

　실리콘반도체의 집적화가 2010년 이후에는 한계에 도달해 새로운 돌파구를 찾아야 한다는 주장이 나왔다.

　그레고리 팀프 미국 일리노이대 교수는 지난 19과 20일 이틀 동안 성균관대 율전 캠퍼스에서 열린 한국진공학회 심포지엄에 참석, ‘나노테크놀로지 : 작은 것이 큰것을 만든다’라는 주제강연을 통해 “현 실리콘반도체의 절연막(oxide) 두께가 0.7나노미터(㎚) 이하가 되면 전류가 방류돼 반도체를 만들 수 없다”면서 이같이 주장했다.

그는 “이렇게 되면 집적도가 18∼26개월마다 두배씩 증가한다는 ‘무어의 법칙’은 의미가 없을 것”이라면서 “이온물질 등 새로운 화학물질에 기반을 둔 나노기술이 등장하면 실리콘반도체의 집적 한계를 극복할 수 있을 것”이라고 말했다.

　팀프 교수는 또 “나노기술은 무엇이든 작게 만드는 것이 아니라 집적도를 높이는 기술”이라며 “나노기술은 반도체와 아울러 바이오 분야에도 획기적인 영향을 미칠 것”이라고 덧붙였다.

　한편 이번 학술대회에서는 팀프 교수 외에도 수미 다다오 일본진공공업회장이 초청 강연자로 자국 진공산업의 현황을 소개했으며 140여편의 학술 논문이 발표됐다.

　강헌 서울대 화학부 교수는 “그동안 진공산업의 전통 분야였던 플라즈마, 금속박막뿐만 아니라 반도체산업에서 충분히 응용이 가능한 진공펌프 분야와 나노기술, 유기EL에 대한 연구개발 성과가 활발해진 것이 이번 학술대회의 특징”이라고 평가했다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>