샤프-윈본드, 128·256M 대용량 차세대 플래시메모리 공동개발 합의

　일본 샤프와 대만 윈본드가 대용량의 차세대 플래시메모리를 공동개발하기로 합의했다고 일본경제신문이 18일 보도했다.

　이들 두 회사는 현행 주력인 64M 플래시메모리보다 기억용량이 2∼4배 많은 128M와 256M의 차세대 제품을 개발, 오는 2004년 양산에 착수할 계획이다.

　휴대기기의 메모리로 주로 사용되는 플래시메모리는 동영상 정보를 주고받는 제3세대 휴대전화의 등장과 PDA의 고기능화로 소형·대용량화 요구가 고조되고 있다.

　두 회사는 샤프의 미세가공 기술과 윈본드의 양산기술을 상호 보완해 개발투자를 경감하는 동시에 조기 상품화를 위해 이번 공동개발에 나서기로 결정했다.

　이번 제휴는 반도체 분야에서 지금까지 수탁생산 중심이었던 대만 반도체업계의 기술력이 대외적으로 인정받고 있다는 것을 의미한다. 또 일본 전자업계가 수익악화로 차세대 기술개발에 필요한 투자비 마련에 얼마나 큰 부담을 느끼고 있는지 엿볼 수 있는 사례로도 볼 수 있다. 샤프는 윈본드와의 공동개발로 수백억엔의 개발비를 경감할 수 있을 것으로 기대한다.

　이번 제휴를 계기로 앞으로 일본과 대만의 반도체 관련업체간 제휴는 생산에 이어 개발분야로까지 확산, 가속화할 것으로 전망된다.

　윈본드는 D램 세계 10위 업체로 도시바와 D램 생산에서 제휴하고 있다. 플래시메모리 세계 4위인 샤프와의 이번 제휴를 계기로 이 사업을 확대해 나갈 것으로 예상된다.

　<신기성기자 ksshin@etnews.co.kr>