차세대 리소그래피 기술, 2007년 이후에나 상용화 전망

　0.045㎛ 이하의 초미세 공정에 쓰일 차세대 리소그래피 기술이 2007년 이후에나 실제 공정에 적용될 것이라는 전망이 나왔다.

　국제 반도체 연구 컨소시엄인 세마테크의 차세대 리소그래피(NGL) 그룹은 최근 캘리포니아에서 열린 워크숍에서 극자외선(EUV)과 전자방출(EPL) 방식으로 대변되는 NGL 기술의 상용화 방안에 대해 논의했으나 2007년까지는 실제 공정에 투입되기 힘들 것이라는 데 의견을 같이 했다.

　그러나 참석자들은 현재 개발되고 있는 157㎚ 광 스캐너가 예상을 뛰어넘는 성능을 보이고 있어 0.065㎛ 공정에까지 적용 가능하며 2005년부터는 실제 라인에 도입될 것이라고 말했다.

　또 0.045㎛ 공정에만 적용될 것으로 보이는 EPL 기술에 비해 EUV는 0.045㎛과 0.032㎛ 공정에 모두 사용이 가능할 것으로 전망했으나 두 기술 모두 상용화를 위해서는 다층 블랭크 마스크 도입, 압력 조절 등 해결해야 할 문제들이 산재하다고 말했다.

　<정진영기자 jychung@etnews.co.kr>