IR코리아, 신형 MOSFET와 IGBT 게이트 드라이버 출시

　전력용 반도체 전문업체 IR코리아(대표 박흥식)는 최소형 1.8A 풀다운 정격전류의 600V 금속산화물 전계효과트랜지스터(MOS FET)와 양극형게이트절연트랜지스터(IGBT)용 게이트 드라이버 IC를 출시했다고 12일 밝혔다.

　이들 제품은 전력 상한 12㎾ 애플리케이션용으로는 최소형·최저가에다 가장 간단한 설계구조를 취하고 있어 부품수는 30% 이상 절감되고 인쇄회로기판(PCB) 면적은 개별부품 기반의 광커플러 구동회로에 비해 50% 적게 차지한다는 것이 회사측 설명이다.

　또한 리드선이 8가닥인 SOIC 또는 PDIP 패키지 속에 업계 최소형 1.4A 및 1.8A의 소스 및 싱크 정격전류를 갖고, 600V급의 게이트 드라이버를 포함하고 있다.

　이밖에도 이 제품은 고밀도·고전류 설계에 이상적이며 12㎾ 용량의 무정전전원장치(UPS)와 스위치모드 전력공급장치 애플리케이션 및 최대 10마력 AC모터 드라이브를 포함한 광범위한 회로에 사용이 가능하다.

　<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>