1기가급 이상 초대용량 메모리 반도체 시대가 열렸다.
삼성전자(대표 윤종용)는 0.12미크론(1㎛은 100만분의 1m) 공정기술을 적용한 1기가비트(Gb) NAND형 플래시메모리 반도체를 상용화하는 데 성공, 샘플을 출시했으며 내년초에 양산한다고 30일 밝혔다.
D램과 플래시메모리를 통털어 1기가 메모리의 상용화는 이번이 처음이며 동급 용량의 플래시메모리가 D램에 앞서 양산에 들어가는 것도 처음이다.
삼성전자는 이번 개발로 그동안 거의 없었던 경쟁사와의 플래시메모리 상용화 격차를 1년 정도 벌렸으며 0.15미크론에 비해 70% 이상 생산성이 높은 0.12미크론을 적용함으로써 시장 지배력을 공고히 할 수 있게 됐다.
삼성전자가 상용화한 플래시메모리는 1Gb 칩 단품과, 칩 2개를 쌓은 듀얼 칩 구조의 2Gb 플래시메모리 제품 두 종류로 최근 대용량 초고속 메모리에 대한 수요가 늘어난 개인휴대단말기(PDA), 메모리카드 등의 데이터 저장 핵심 메모리가 될 전망이다.
이 제품은 동작 및 프로그램 속도가 대폭 향상됐으며 고해상도(1200×1024) 사진 약 560장 분량을 저장할 수 있다.
IMT2000 등 차세대 휴대폰에 채용할 경우 기존의 NOR형 플래시메모리에서 필요한 D램 등의 버퍼메모리 없이 동영상을 저장할 수 있다.
또 듀얼 칩 구조의 2기가비트 플래시메모리 제품을 탑재할 경우 CD 수준의 고음질 음악 약 64곡, 동영상(MPEG4 기준) 뮤직비디오 2시간 분량을 저장할 수 있다.
이번 3.3V(8bit I/O)짜리 1Gb 플래시메모리 샘플 출시에 이어 오는 4분기중 1.8V와 3.3V(16bit I/O) 샘플을 출시하며 내년초에 본격 양산에 들어갈 예정이다. 공급가격은 50달러를 웃돌 전망이다.
삼성전자는 이번에 0.12미크론급 공정기술을 비롯해 △0.1㎛²(제곱미크론) 미만의 메모리 셀 크기 구현 △셀 크기 축소와 신규 설비 없이 기존 생산장비로 D램 대비 50% 이상의 원가 경쟁력 향상 등의 최고 수준의 양산기술을 확보했다.
삼성전자는 NAND형 플래시메모리 시장의 40%를 점유하고 있으며 오는 2004년께엔 46% 이상으로 높일 계획이다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>
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