삼성전자, 0.13㎛ 공정 적용 초저전력 8Mb S램 양산

　삼성전자(대표 윤종용)가 0.13㎛급 초미세 공정기술을 적용한 IMT2000 및 차세대이동통신용 8Mb 초저전력 S램을 업계 처음으로 개발, 양산에 들어간다고 5일 밝혔다.

　이번 제품은 8Mb의 대용량과 1㎂ 이하의 저소비전류, 1.8V에서 55㎱의 고속 데이터 처리 능력을 동시에 갖추고 있어 인터넷 접속과 동영상 전송 등 대용량 데이터 처리를 요구하는 IMT2000을 비롯한 차세대 휴대폰에 탑재될 예정이다.

　특히 업계 처음으로 0.13㎛급 공정기술이 적용된 이번 제품은 소형화 추세인 첨단 모바일 제품에 적합하도록 제품의 크기를 기존 제품 대비 30% 축소했으며 0.15㎛급 S램 제품에 비해 생산성이 50% 이상 향상됐다.

　삼성전자는 이번 8Mb S램에 적용된 0.13㎛급 공정기술이 경쟁사에 비해 최소 6개월 이상 앞선 기술일 뿐만 아니라 당초 예정보다 대량 생산체제를 약 3개월 앞당기면서 올 4분기부터는 시장에 본격적으로 대응할 수 있으로 보고 있다.

　또한 이번 양산으로 1세대 아날로그 휴대폰과 2세대 및 2.5세대 디지털 휴대폰에 이어 3세대 IMT2000용 S램 시장을 선점할 수 있게 돼 지난 95년부터 지켜온 S램 반도체부문 1위를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

　삼성전자는 이번 0.13㎛급 공정기술을 적용한 제품뿐 아니라 내년에 0.10㎛, 오는 2003년 0.08㎛급 공정기술을 적용한 S램 제품을 개발할 계획이며 올 4분기에는 16Mb S램 제품도 출시할 계획이다.

　삼성전자는 S램 반도체의 최대 시장인 휴대폰 시장이 연평균 15∼20%의 지속 성장세를 유지, 올해 3억8000만대에서 4억1000만대 수준이 될 것으로 예측하고 있으며 S램 매출을 올해 18억달러로 끌어올리는 한편 내년에는 전세계 S램 시장의 30% 이상을 점유한다는 목표를 갖고 있다.

<정지연기자 jyjung@etnews.co.kr>