하이닉스반도체, 초저전력 128메가 SD램 개발

　하이닉스반도체(대표 박종섭 www.hynix.com)는 차세대 이동정보통신기기용 초저전력 128Mb SD램 개발에 성공했다고 11일 밝혔다.

　이 제품은 회로선폭 0.18미크론(1미크론은 100만분의 1미터)의 미세가공기술을 적용한 제품으로 기존의 3V보다 낮은 2.5V의 저전압에서 작동, 전력소모를 60% 이상 줄여 휴대기기의 배터리 수명을 대폭 늘렸다.

　이 제품은 또 국제표준화기구인 제덱(JEDEC)에서 올초 표준으로 인증한 소비전력 절감규격인 ‘TCSR(온도에 따라 충전속도 조절)’ ‘PASR(대기시 데이터가 있는 부분만 충전)’ ‘DPD(사용 중단시 D램 작동 차단)’를 따라 제조돼 성능의 효율화를 극대화했다.

　하이닉스는 특히 이 제품에 초소형 패키지 기술인 칩스케일패키징(CSP)의 일종인 54Ball FBGA 및 54Pin TSOP의 두 형태를 함께 채택해 시장요구에 탄력적으로 대응할 수 있게 했다. FBGA 패키지의 경우 256M SD램도 탑재할 수 있어 기존 제품의 3분의 1 크기로 작아진다.

　하이닉스는 이 제품을 차세대이동통신(IMT2000) 단말기, 개인휴대단말기(PDA), 디지털카메라 등 다양한 개인휴대 정보통신기기에 적용할 수 있으며 일반 SD램보다 3∼4배 이상 가격이 비싸 부가가치를 극대화할 것으로 기대했다.

　하이닉스는 오는 3분기중 이 제품을 양산하고 내년 상반기중 256M 제품도 양산해 초기시장을 선점할 계획이다.

　<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>