266㎒ 이상 초고속 대용량 D램 시장을 선점하기 위한 삼성전자와 현대전자의 상용화 경쟁이 뜨겁다.
삼성전자가 지난해 4월 데이터 처리속도 266㎒짜리 512M 싱크로너스(S) 및 더블데이터레이트(DDR) SD램을 개발해 올하반기 양산을 추진중인 가운데 현대전자는 이보다 빠른 333㎒짜리 512M DDR SD램을 최근 개발, 하반기중 양산할 계획이라고 10일 밝혔다.
두 회사가 512M D램의 상용화에 박차를 가하는 것은 내년부터 고성능 PC 및 서버, 워크스테이션 등의 수요가 본격화할 것으로 예상되기 때문이다.
특히 두 회사는 이들 제품에 똑같이 0.12미크론(1미크론은 100만분의 1미터)의 초미세 회로선폭 가공기술을 적용, 신공정기술의 주도권 경쟁으로 확산될 조짐이다. 두 회사는 차세대 0.10미크론 공정기술에 다가서기 위해 그 전단계인 0.12미크론 공정을 조기에 안정화하려는 전략을 갖고 있다.
세계 D램 1, 2위 업체가 이처럼 512M D램 사업에 적극적으로 나서면서 엘피다메모리·인피니온 등 후발주자들의 개발행보도 한층 빨라질 전망이다.
현대전자가 이번에 개발한 제품은 초당 최대 666만개의 문자를 전송하며 2.5V의 저전압에서도 작동할 수 있다 이 회사는 상반기중 청주공장에서 샘플을 생산해 IBM·HP 등에 샘플 공급하고 하반기중 본격 양산할 계획이다.
개발을 주도한 윤규한 이사는 『구 LG반도체와의 통합 이후 시너지 효과를 거둔 첫 작품』이라면서 『반도체 제조비용을 결정하는 마스크 공정 수를 기존 제품 대비 약 20% 절감하고 전체 공정 수도 절감시켰다』고 말했다.
삼성전자는 지난해 말부터 화성 10라인을 통해 266㎒ 512M SD램과 DDR SD램의 샘플을 생산, 대형 PC업체에 공급중이며 이르면 올 3분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다. 또 333㎒ 제품은 내년 상반기까지 제품 개발과 상용화 작업을 끝낼 방침이다.
삼성전자측은 현대전자의 제품에 비해 늦은 속도에 대해 『우리 기술로는 속도를 높이는 것 자체가 그리 어렵지 않은데다 2002년 상반기까지 512M 제품의 주력 속도가 200㎒대에 머물 것으로 예상돼 속도를 높이는 작업에 집중하지 않고 있다』고 밝혔다.
두 회사는 512M D램의 수요가 내년께 25억달러, 2004년께 400억∼450억달러 규모로 폭발적으로 성장할 것으로 전망하고 있다.
<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>
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