삼성전자, 0.11미크급 1기가 D램 상용화 성공

삼성전자가 업계에서는 처음 회로선폭 0.11미크론(1㎛은 100만분의 1m)으로 1기가(G)D램을 상용화하는 기술을 개발하는 데 성공했다.

18일 삼성전자는 지난달 미국 하와이에서 열린 제20회 VLSI학회 심포지엄에서 「회로선폭 0.11미크론의 1GD램 상용화 기술」을 발표해 최우수논문상을 수상했다고 밝혔다.

회로선폭은 반도체 재료인 웨이퍼에 새기는 회로의 선폭으로 미세할수록 고집적 반도체를 생산할 수 있어 반도체업체마다 초미세회로선폭 기술을 개발중이다.

지금까지 가장 미세한 회로선폭기술은 삼성전자가 지난 4월 발표한 회로선폭 0.12미크론의 512MD램 상용기술이며 삼성전자는 이번에 회로선폭을 더욱 좁게 한 상용기술을 개발함으로써 앞선 반도체 기술력을 과시하게 됐다.

삼성전자가 이번에 개발한 기술은 산화알루미늄(●₂O₃) 박막과 요철 개념을 적용한 신구조(PAOSS)를 커패시터에 적용해 0.11미크론 가공공정에서도 1GD램 반도체를 생산할 수 있다.

특히 이 기술은 사진설비와 감광액을 교체할 필요가 없어 설비투자비용을 획기적으로 낮춰 기가시대를 더욱 앞당길 것으로 보인다.

삼성전자는 경쟁사에 비해 최소한 1년 이상 앞서 이 기술을 개발했으며 에칭·화학증착(CVD) 등의 장비개선을 통해 2002년께 상용화할 계획이다.

한편 삼성전자는 이번 심포지엄에 △기존의 폴리실리콘(Poly-Si) 전극 대신 루테늄(Ru) 전극을 사용해 기존 대비 2배 이상의 정전용량을 확보할 수 있는 「4기가 이상급 D램 반도체용 신재료(Ru) 기술」과 △기존 대비 20% 성능이 향상된 비메모리 반도체용 초고속 트랜지스터 소자기술 등을 발표해 학회의 비상한 관심을 끌었다.

<신화수기자 hsshin@etnews.co.kr>