현대전자, Fe램 상용화

현대전자(대표 박종섭 http://www.hei.co.kr)는 차세대 메모리반도체로 떠오르고 있는 강유전체 메모리(Fe램 : Ferroelectric RAM)의 제품화에 성공했다고 17일 밝혔다.

Fe램이란 D램의 용량과 S램의 속도, 플래시메모리의 정보보존 기능을 결합한 「비휘발성 메모리」로 기존의 비휘발성 메모리 소자인 플래시메모리나 EEP롬보다 작동전압이 낮고 정보기록 속도가 1000배 이상 빠른 차세대 메모리반도체다.

현대전자가 이번에 선보인 제품은 64K와 256K Fe램 두가지로 Fe램의 상품화 시기를 한단계 앞당길 수 있을 것으로 평가되고 있다.

이번에 개발한 제품의 특징은 재료 측면에서 Fe램의 특성을 결정하는 강유전체 재료로 「스트론튬 비스무스 탄탈레이트(SBT : Strontium Bismuth Tantalate)」를 사용해 제품의 신뢰성을 높였으며 설계 측면에서는 메모리 셀의 작동을 위해 사용하는 「내부 승압 회로」를 사용하지 않는 등 기존 기술과 차별되는 획기적인 메모리 셀 구동방식을 채택함으로써 전력소모를 크게 줄인 점이 특징이다.

현대전자가 제품화한 64K Fe램의 경우 2V의 저전압에서 사용 가능하며 256K Fe램의 경우 기준전압을 안정시켜 3∼5V의 넓은 범위의 전압에서 사용할 수 있다.

현대전자는 이번에 선보인 Fe램은 저전압과 저전력 작동을 실현해 휴대형 기기의 대체 메모리로 활용하는 데 매우 적합한 제품특성을 갖고 있으며, 기존 D램 공정과 호환성이 있는 공정을 활용함으로써 저비용·고성능의 제품을 구현하는 데 적합한 제품이라고 설명했다.

한편 세계 Fe램시장은 2002년 약 12억달러의 시장을 형성한 뒤 점차 시장규모가 커질 것으로 관련업계는 전망하고 있다.

<김성욱기자 swkim@etnews.co.kr>