삼성-현대, 0.5μm이하 차세대 반도체 노광기술 개발 경쟁 "후끈"

　국내 양대 반도체업체인 삼성전자와 현대전자가 차세대 반도체 노광(리소그래피)기술 개발에 본격 나선다.

　22일 관련업계에 따르면 삼성전자와 현대전자는 세계적인 반도체 장비·재료업체들의 컨소시엄에 합류하거나 최신 장비를 도입, 회로선폭 0.15㎛(1미크론은 100만분의 1m) 이하의 고집적반도체를 생산할 수 있는 차세대 노광기술 개발에 열을 올리고 있다.

　0.15㎛ 이하 회로선폭은 기가급 반도체에 적용하는 것으로, 이를 반도체에 적용하기 위해서는 130㎚(1나노미터는 10억분의 1m) 이하 파장의 광원을 사용하는 새로운 노광기술을 필수적으로 확보해야 한다.

　두 회사가 차세대 노광기술 개발을 적극 추진하는 것은 기가급 반도체 제조기술을 확보해 D램 분야의 지배력을 유지하는 한편, 비메모리반도체 부문에서도 영향력을 확대하기 위한 전략으로 풀이된다.

　현대전자는 ASM리소그래피의 최신형 스캐너 「PAS 5500/900」을 지난 20일 국내 처음 도입했다. 이 장비는 현재 전세계에 5대만 공급된 것으로, 193㎚ 파장의 불화아르곤(ArF) 광원을 사용해 0.15∼0.1㎛ 크기 회로선의 반도체를 제조할 수 있다. 현대전자는 내년부터 이 장비를 기반으로 130∼100㎚ 리소그래피기술을 개발, 기가급 반도체 생산에 적용할 계획이라고 설명했다. 현대전자는 이와 함께 내년께 인텔·AMD 등이 주축이 된 차세대 노광기술 개발 컨소시엄인 「EUV LLC」에 참여할 계획이다. 현대전자의 한 관계자는 『0.1㎛ 이하 초미세공정기술을 개발하기 위한 수단으로 「EUV LLC」나 「스칼펠」기술 진영 합류를 검토중』이라고 밝혔다.

　삼성전자는 최근 193㎚ ArF 광원 기반의 노광기술을 진척시키기 위해 시플리와 0.13㎛ 이하 회로제작에 사용하는 감광제(포토레지스터)를 공동개발하기로 했다. 이에 앞서 삼성전자는 0.1㎛ 이하급의 초미세회로공정에 사용할 차세대 노광기술인 「스칼펠」 개발을 위해 지난 11월 루슨트테크놀로지스·어플라이드머티리얼스·ASML 등 세계적인 반도체장비업체들과 협력관계를 구축했다. 「스칼펠」은 ArF 등 엑시머레이저를 사용하는 기존 기술과는 달리 투사식 전자빔(Projection Electron-Beam)을 광원으로 사용하는 새로운 개념의 리소그래피 기술이다.

이일주기자 forextra@etnews.co.kr