주성엔지니어링, 선택적 에피 웨이퍼 제조 장비.공정 세계 첫 상용화

　반도체 장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)이 삼성전자와 공동으로 실리콘 선택적 에피택셜(Epitaxial) 박막성장장비 및 공정을 개발했다.

　주성엔지니어링은 지난해 8월부터 1500만달러 규모의 개발비를 투입, 반도체 설계시 일반적인 에피 웨이퍼에 비해 더욱 다양한 기능을 구현할 수 있게 하는 선택적 에피 웨이퍼 제조기술 및 장비개발에 성공했다고 17일 밝혔다.

　에피 웨이퍼는 일반 폴리시드(Polished) 웨이퍼의 화학적·물리적 결함을 해소하기 위해 화학기상증착(CVD)공정을 사용해 그 위에 또 하나의 실리콘 막을 형성한 것으로, 일반 에피 웨이퍼는 전체면에 걸쳐 층을 만드는 데 비해 이번에 주성엔지니어링이 개발에 성공한 선택적 에피 웨이퍼 성장기술은 원하는 부분에만 막을 형성할 수 있는 첨단기술이다.

　이를 도입하면 반도체 설계시 다양한 기능 구현이 가능하며, 특히 웨이퍼 가공을 시작한 이후에도 에피막을 성장시킬 수 있어 더욱 기능이 강화된 반도체를 제조할 수 있다.

　주성엔지니어링의 이영곤 이사는 『전세계적으로 몇몇 업체가 선택적 에피 웨이퍼 성장기술을 개발중이지만 상용기술 개발에 성공하기는 이번이 처음』이라며 『이 기술은 특히 비메모리 부문에서 많은 수요가 예상되는 것으로, 전세계 시장규모는 7000억원에 달할 것으로 추산된다』고 말했다.

　이번 선택적 에피 박막성장장비·공정 개발 프로젝트에서 주성엔지니어링은 장비 부문을, 삼성전자는 공정 부문을 각각 담당했다고 주성엔지니어링은 밝혔다.

이일주기자 forextra@etnews.co.kr