통상 F램이라고 불리는 강유전체 메모리는 D램의 용량, S램의 속도, 플래시 메모리의 데이터 보존기능 등 현존하는 각종 메모리반도체의 장점을 취합한 새로운 개념의 메모리라고 설명할 수 있다.
정보를 기억하는 소자인 커패시터에 강유전 물질을 사용, D램과 같은 수준의 데이터 처리가 가능할 뿐만 아니라 플래시 메모리와 같이 전원공급이 끊어져도 기록된 데이터를 상실하지 않는 장점을 가지고 있다. 또한 D램과 달리 일정 시간마다 데이터 보전을 위한 전원공급이 불필요해 전력소모를 줄일 수 있는 특징을 가지고 있어 휴대형 전자·정보통신 기기에 최적인 메모리제품이라는 평가를 받고 있다.
메모리업계에서는 「궁극적 기억소자」라는 별명까지 얻을 정도로 차세대 메모리 반도체 시장의 핵으로 부상하고 있다.
최근 삼성전자가 세계 처음으로 4M F램 기술개발에 성공, 앞서 간다는 평을 듣고 있다.
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