日히타치, 2배속 256M DDR SD램 개발

　일본 히타치제작소가 종전 제품에 비해 데이터 전송속도가 2배 빠른 256M 더블데이터레이트(DDR) 싱크로너스(S)D램을 개발, 오는 10월부터 샘플출하할 계획이라고 「일경산업신문」이 보도했다.

　이 제품은 회로선폭 0.18㎛ 상보성금속산화막반도체(CMOS) 미세가공 기술을 활용한 것으로 작동 주파수는 100㎒이며 전원 전압은 2.5V를 사용한다.

　이 제품은 특히 외부 클록의 파형(최고점과 최하점)에 동기화해 데이터를 입출력하는 DDR 방식을 채택함으로써 종전 제품의 2배에 이르는 전송속도를 실현했다.

　히타치는 이 제품을 오는 2000년부터 히타치나카공장에서 월 1만개 규모로 생산해 고성능 워크스테이션이나 PC용으로 공급할 계획이다.

<주문정기자 mjjoo@etnews.co.kr>