현대전자, 64M DDR SD램 샘플 출하

　현대전자(대표 김영환)가 차세대 메모리의 하나인 DDR(Double Data Rate) 방식의 64M 싱크로너스 D램 샘플을 개발, 출하한다고 4일 밝혔다.

　이 제품은 회로선폭이 0.22미크론(1㎛:1백만분의 1m)이고 국제표준화기구인 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)에서 최종 확정된 PC266 규격을 완벽하게 지원한다.

　클록 주파수는 1백33㎒고 핀당 데이터 전송속도는 2백66Mbps로 같은 급의 싱크로너스 D램보다 데이터 전송속도가 2배 이상 빨라 PC서버나 고성능 워크스테이션 등 고속 대용량 메모리를 필요로 하는 제품에 적합하다.

　DDR SD램은 현대전자를 비롯해 삼성전자·후지쯔 등 주요 반도체 제조회사가 합의한 차세대 고속 D램의 표준규격으로 기존의 64M 싱크로너스 D램과 동일한 패키지 및 공정을 사용, 추가 설비 투자없이 제품 생산이 가능하다는 것이 장점이다.

　이번 현대전자의 DDR 제품 출하는 차세대 주력 메모리로 유력시되는 램버스 D램 채택 시기가 9월로 늦어짐에 따라 당분간 DDR 제품 시장이 확대될 것이라는 분석에 따른 것이다.

　특히 DDR D램은 비 인텔 CPU를 채용한 PC에 주메모리로 채택될 가능성이 높은 것으로 예상되고 있어 99년 하반기부터 급속한 시장 확대가 가능할 것으로 보인다.

　현대전자는 이번 64M DDR 싱크로너스 D램에 이어 오는 3·4분기에는 1백28M 제품의 양산을 시작할 계획이다.

<최승철기자 scchoi@etnews.co.kr>