히타치제작소, 0.18㎛ 미세가공기술 채용 D램 혼재 시스템온칩 양산

　일본 히타치제작소가 0.18㎛ 미세가공기술을 채택한 D램 혼재 시스템 온 칩의 양산을 서두른다.

　「일경산업신문」에 따르면 히타치는 당초 올 후반으로 계획했던 0.18㎛ D램 혼재 시스템 온 칩의 양산시기를 오는 4월로 앞당기기로 결정하고 자사 최첨단 생산거점인 LSI제조본부의 제2공장 「N2」에 양산기술 도입을 서두르고 있다.

　N2는 현재 64MD램 생산용으로 0.18㎛ 미세가공라인을 가동하고 있는데 당분간 64MD램과 D램 혼재 시스템 온 칩을 동시 생산한다. 히타치는 올 후반부터 양산규모를 점차 확대해 내년도 이 제품의 매출을 5백억∼6백억엔까지 늘릴 계획이다.

　D램 혼재 시스템 온 칩은 현 주력메모리인 D램과 로직회로를 하나의 칩에 집적한 것으로 3차원 영상표시에 필요한 그래픽처리 칩 등이 주력제품이 될 전망이다.

　한편 NEC·도시바·후지쯔·미쓰비시전기 등도 D램 혼재 시스템 온 칩을 향후 주력 반도체 분야 중 하나로 책정하고 있는데 0.18㎛ 채택 제품은 내년말을 전후해 양산한다는 계획을 세워놓고 있다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>