현대.LG, 256MD램 싱크로너스 D램 양산기술 개발

　현대전자와 LG반도체가 삼성전자에 이어 2백56M 싱크로너스D램 양산기술 개발에 성공, 오는 2000년 후반으로 예상됐던 2백56MD램 시장이 크게 앞당겨질 전망이다.

　특히 국내 반도체 3사가 D램 분야의 최대 경쟁국인 일본과 미국 업체들보다 앞서 차세대 메모리 반도체인 2백56MD램 양산에 나섬에 따라 2000년대까지 메모리시장의 우위를 확고히 할 수 있을 것으로 기대된다.

　현대전자(대표 김영환)는 24일 0.18㎛(1미크론:1백만분의 1)의 미세회로 공정을 적용한 세계 최소형의 2백56M SD램 양산기술을 확보, 내년 상반기부터 본격적인 양산에 나설 계획이라고 밝혔다.

　현대전자는 이번에 개발한 제품의 칩 사이즈가 현재 생산되는 세계 최소형 제품보다 7% 가량 작은 1백50㎟대이며 웨이퍼 1장당 생산 가능한 칩 숫자인 넷다이도 기존 경쟁사 제품에 비해 12% 이상 많다고 설명했다.

　현대전자는 이 제품을 해외 주요 컴퓨터업체에 샘플 형태로 공급했으며 내년 상반기부터 양산에 돌입, 99년 2백56MD램에서만 1억 달러의 매출을 달성할 계획이다.

　LG반도체(대표 구본준)는 이달 초 0.20㎛ 공정을 적용한 2백56M SD램 양산용 샘플 생산에 성공, 내년 초부터 본격적인 양산체제에 나선다고 밝혔다.

　LG는 이 제품에 대해 넷다이수가 1백45개, 칩 사이즈가 1백60㎣대로 기존 64MD램 생산장비로 생산이 가능, 원가 경쟁력이 우수하다고 설명했다. 특히 최고 처리속도가 1백50㎒로 PC100 규격을 모두 충족시키며 오는 99년부터 워크스테이션 및 서버 등 고성능 제품에 채용될 PC133 규격까지 지원할 수 있다는 점이 특징이다.

　삼성전자에 이어 현대전자와 LG반도체 등 국내 반도체 3사가 모두 일본 및 미국보다 앞서 2백56MD램 양산기술 개발에 성공함에 따라 국내 반도체 산업은 95년 이후 이어온 세계시장 지배력을 계속 유지할 수 있을 것으로 보인다.

　특히 3사가 이번 2백56MD램 양산기술을 현재 주력제품인 64M와 1백28M 제품에 적용할 경우, 획기적인 생산원가 절감효과를 거둘 수 있어, 최근 가격상승 움직임을 보이고 있는 메모리시장에서 더욱 엄청난 수익을 챙길 수 있을 것이라는 분석이다.

<최승철 기자>