삼성전자, 144M 램버스D램 모듈 개발

　삼성전자(대표 윤종용)는 가장 유력한 차세대 고속 D램으로 부상하고 있는 1백44Mb 다이렉트 램버스 D램 단품과 이를 탑재한 1백44MB 램버스D램 모듈을 개발했다고 4일 밝혔다.

　이 제품은 지난 7월에 출시한 72M 다이렉트 램버스 D램 용량을 배로 늘린 제품으로 99년 초부터 월 10만개씩 생산하는 데 이어 3·4분기부터 월 1백만개씩 본격적으로 양산할 예정이다.

　0.23㎛(1미크론:1백만분의 1m)의 미세회로 공정으로 제조되는 이 제품은 정보처리속도가 9백㎒∼1㎓인 초고속 D램으로 초당 신문지 12만8천쪽의 데이터를 처리할 수 있다.

　이같은 처리속도는 기존 EDO방식 D램의 25배, PC100용 싱크로너스D램의 10배에 이르는 것이다.

　모듈제품은 회로 기판의 양면에 실장할 경우 총용량을 2백88MB까지 확장할 수 있다는 것이 장점이다.

<최승철 기자>