LG, 256MD램 반도체 새 공정 개발

　LG반도체(대표 구본준)는 기존의 64MD램용 장비로 2백56MD램 3세대 제품까지 생산할 수 있는 새로운 커패시터(Capacitor) 제조공정기술을 개발, 세계 최초로 실용화에 성공했다고 10일 밝혔다.

　이번에 LG반도체가 실용화한 신공정기술은 반도체 제조 핵심공정의 하나인 증착공정에서 커패시터를 형성시키는 새로운 웨이퍼 표면막 처리기술이다.

　LG반도체는 기존의 웨이퍼 증착공정에 사용되는 질화산화막 물질을 섭씨 7백도 이하의 저온에서 처리할 수 있는 기술을 개발하고 이를 기반으로 회로배선에 기존의 텅스텐 화합물보다 전기적 특성(유전율)이 훨씬 높은 금속 텅스텐을 사용함으로써 커패시터의 크기를 2백56M의 양산에 아무런 문제가 없는 수준까지 작게 만들 수 있다고 설명했다.

　그 동안 반도체업계에서는 기존의 텅스텐 화합물보다 유전율이 높은 금속 텅스텐 이용기술 개발을 추진해 왔으나, 금속 텅스텐의 경우 7백도 이상의 고온에서 처리가 불가능한 반면 질화산화막은 7백도 이하의 저온처리가 어렵다는 점 때문에 실용화에 어려움을 겪고 있는 상황이다.

　LG반도체는 이번 공정기술을 이용할 경우 차세대 제품인 2백56M의 양산설비 투자에 소요되는 비용 중 최소한 1조원 정도를 절감할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

　현재 삼성·NEC·히타치 등 세계 주요 D램 메이커들의 경우도 그동안 D램의 장기불황에 따른 신규투자의 부담으로 기존 장비를 최대한 활용해 차세대 제품개발에 적용할 수 있는 신공정기술 개발에 주력하고 있는 상황이며, LG반도체는 이번 개발로 2백56MD램의 원가경쟁력 우위 확보와 함께 양산일정도 크게 앞당길 수 있을 것으로 보인다.

<최승철 기자>