현대전자, 0.21㎛ 메모리 복합칩 제조기술 개발

　현대전자(대표 김영환)가 1백28M급의 메모리 복합칩 제조기술을 개발했다.

　현대전자는 지금까지 개발된 복합칩 제조기술 가운데 가장 미세한 0.21㎛(1미크론 : 1백만분의 1m)의 회로선폭 공정기술을 적용한 복합칩 제조기술을 개발했다고 28일 밝혔다.

　이 기술을 이용할 경우, 최대 1백28MD램과 고성능 로직 트랜지스터를 복합시킨 메모리·로직 복합칩을 제조할 수 있다고 현대측은 설명했다. 현대전자는 99년 상반기부터 이 기술을 적용한 복합칩을 양산할 계획이다.

　현대전자가 개발한 기술은 특히 기존의 D램 공정을 그대로 사용할 수 있어 추가 투자를 최소화할 수 있으며 공정수도 줄여 생산비를 크게 낮출 수 있다. 또한 기존의 0.35㎛ 공정에 비해 칩 사이즈를 절반 이하로 줄일 수 있어 웨이퍼당 생산성을 2배 이상 늘릴 수 있다는 것이 장점이다.

　메모리 복합칩은 로직칩과 메모리칩을 따로 사용할 경우에 발생하는 입출력단 숫자의 제한, 노이즈, 전력소모 등의 문제점을 해결하기 위해 개발된 기술로, 현재 소수의 선두 D램 업체들만이 기술을 보유하고 있으며 2001년께 세계 시장규모가 약 80억 달러로 예상되는 유망 분야다. 　

〈최승철 기자〉