반도체 제조과정 중 실리콘 기판 위에 각종 화학물질을 입히는 작업을 증착 공정이라 한다. 그리고 이러한 증착 공정은 물리적 증착(PVD) 장비 또는 화학적 증착(CVD) 장비에 의해 수행된다.
최근의 이 분야 기술 추세는 과거 PVD에 의해 수행되던 각종 공정들이 점차 CVD쪽으로 이전되고 있으며 이에 따라 CVD 관련기술의 발전속도가 눈에 띄게 빨라지고 있는 상황이다.
이 가운데 최근 개발되기 시작한 유기금속 화학증착(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)과 고밀도 플라즈마 화학증착(HDP CVD:High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) 기술은 기가급 이상 차세대 메모리 반도체 제조에 들어갈 최신 증착기술로 손꼽힌다.
MOCVD는 기존의 D램 제조용 화학증착 물질인 실리콘계 재료 대신 강유전체 및 고유전체의 특성을 지닌 BST계열(바륨·스트론튬·티타늄)의 화합물을 사용, 입체구조의 커패시터 증착을 통해 칩 크기를 대폭 줄일 수 있을 뿐만 아니라 웨이퍼 표면의 손상을 최소화할 수 있는 새로운 기술이다.
그리고 HDP CVD는 단위 면적당 10¹²개 이상의 고밀도 플라즈마 소스를 사용, 각종 반도체 증착막의 균일도 및 신뢰성을 획기적으로 향상시킨 차세대용 증착기술이다.
이에 따라 현재 어플라이드머티리얼스·노벨러스 같은 세계 유력 장비업체들도 이러한 MO 및 HDP CVD 기술 적용을 서두르고 있으며 향후 초미세 시스템LSI 및 기가급 메모리 반도체 제조에서부터는 이 기술의 채택이 확실시되고 있다.
이 때문에 주성엔지니어링·청송시스템·아펙스 등과 같은 국내 주요 전공정 장비 업체들도 삼성전자·현대전자·LG반도체 등 소자업체와 공동으로 차세대 CVD 장비를 개발, 현재 본격적인 양산라인 적용을 추진중이다.
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