주성엔지니어링, 고밀도 플라즈마 방식 새 CVD장비 첫 개발

　반도체 장비업체인 주성엔지니어링(대표 황철주)이 고밀도 플라즈마(HDP:High Density Plasma) 방식의 새로운 화학증착(CVD) 장비를 국내 업계 최초로 개발했다.

　이번에 개발된 HDP CVD는 반도체 제조공정의 웨이퍼 증착과정에서 단위 면적당 10¹²개 이상의 고밀도 플라즈마 소스를 사용, 각종 반도체 증착막의 균일도 및 신뢰성을 획기적으로 향상시킨 첨단 CVD 장비다.

　이에 따라 현재 어플라이드머티리얼스·노벨러스 등과 같은 세계 유력 장비업체들도 이러한 HDP CVD 기술의 본격적인 양산 적용을 서두르고 있으며 향후 초미세 시스템LSI 및 기가급 메모리 반도체 제조에서부터 이 장비의 채용이 확실시되고 있다.

　이런 가운데 개발된 주성의 HDP CVD는 현재까지 출시된 다른 외산 장비들이 플라즈마를 한 방향으로 발산시키는 것과 달리 플라즈마를 수직 및 수평 양방향으로 조절 가능토록 함으로써 웨이퍼 표면에서 증착 균일도를 종전보다 훨씬 향상시켰다.

　이처럼 높은 증착 균일도를 보유함으로써 이 장비는 차세대 반도체 제조시 적용되는 IMD(Inter Metal Dielectric) 또는 PMD(Pre Metal Dielectric) 등 각종 금속층간 절연막 증착 공정에 폭넓게 사용될 수 있으며 회로선폭 0.18미크론 이하의 공정에서도 기포 결함(Void Defect)이 없는 평판화 공정이 가능하다.

　또한 이 장비는 디바이스의 미세화 추세로 인한 금속 배선층간의 기생 커패시터 발생을 최대한 줄임으로써 차세대 고집적 소자의 빠른 속도 구현을 가능케 한다.

　특히 이 장비로 증착된 산화막은 높은 식각 선택비 및 내구성을 지녀 2백56MD램 이상의 고집적 반도체 제조에 사용될 SAC(Self Align Contact) 공정에서 최종 식각 방지용 레이어(Etch Stopper Layer)로도 활용될 수 있으며 이러한 모든 공정을 5백도 이하의 상대적으로 낮은 온도 상태에서 작업한다고 회사측은 설명했다.

　황철주 사장은 『HSG(Hemi Spherical Grain) 증착공정용 LPCVD 장비에 이어 MO(Metal Organic) 및 HDP 공정 기술도 잇따라 개발하게 됨으로써 전체 반도체 커패시터 증착과 관련된 대부분의 공정 기술을 자체적으로 보유하게 됐다』고 강조했다.

　이에 따라 주성은 새로 개발된 HDP CVD 장비의 최종 신뢰성 검사에 착수하는 한편 국내 및 일본지역을 중심으로 본격적인 장비 공급에 나섬으로써 이 제품을 포함, 올해 총 5백억원 이상의 장비 판매실적을 올릴 계획이다.

〈주상돈 기자〉