차세대 웨이퍼 개발경쟁 "후끈"

2백56MD램과 기가급 D램 제조에 사용될 차세대 웨이퍼 개발 경쟁이 본격화되고 있다. 13일 관련업계에 따르면 웨이퍼생산업체인 포스코휼스와 LG실트론은 차세대 반도체 재료 시장 선점을 위해 2백56MD램 이상의 초고집적 반도체 제품 생산에 필수적인 차세대 웨이퍼 기술 개발에 경쟁적으로 나서고 있다.

이처럼 웨이퍼업체들이 최근 시장 축소에 따르는 급격한 매출 부진에도 불구하고 차세대 웨이퍼 개발에 적극성을 보이고 있는 것은 국내 반도체업계의 주력 제품인 메모리 반도체 가격이 급락하면서 D램의 세대교체가 예상보다 빠르게 진행되고 있다는 판단에 따른 것으로 보인다.

즉 2백56MD램 이상의 초고집적 D램 시장이 앞당겨질 것이 확실한 상황에서 차세대 D램 생산에 필수적인 이른바 「저표면결함 웨이퍼」개발을 늦출 수 없기 때문이다.

현재 사용중인 웨이퍼 제품은 웨이퍼를 만들 때 실리콘이 빠져나가면서 생기는 0.1~0.2㎛ 크기의 미세한 결함들로 인해 64MD램 3세대 제품 이상부터 사용하기 힘들기 때문에 표면 결함을 최소화시킨 차세대 웨이퍼 개발이 요구되고 있는 상황이다.

이에 따라 포스코휼스와 LG실트론 등 국내 웨이퍼 업체들은 기존의 폴리시드 웨이퍼보다 표면 결함이 훨씬 적은 차세대 웨이퍼 개발에 막대한 예산을 투입, 시장 선점 노력을 기울이고 있다.

포스코휼스는 관계사인 삼성전자가 최근 독자 개발한 「개량형 폴리시드 웨이퍼」기술을 전수받아 양산 기술 개발에 나서고 있다.

기존의 폴리시드 웨이퍼 제조공정을 그대로 활용하는 이 기술은 실리콘 원료를 배합할때 발생하는 기포(물방울)를 최소화시켜 추가적인 표면 가공없이 대용량 반도체 제조에 적용할 수 있는 제품이다.

반면 LG실트론은 화학증착법을 이용해 표면 결함을 줄인 에피텍셜 웨이퍼와 웨이퍼 내부에 절연층을 형성시켜 표면의 균일도를 높인 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼 개발을 통해 차세대 웨이퍼 시장을 공략한다는 전략이다.

LG실트론은 에피웨이퍼 생산을 위해 구미 신공장에 총 1백억원을 투자, 연간 10만장 규모의 에피웨이퍼 전용 생산라인 구축을 완료, 본격 가동에 들어갔으며 SOI 웨이퍼 개발 및 생산을 위해 오는 2000년까지 약 4백억원의 재원을 투자할 예정이다.

<최승철 기자>