LG실트론, "SOI 웨이퍼" 시제품 개발

반도체 웨이퍼 생산업체인 LG실트론(대표 이창세)이 차세대 웨이퍼의 하나인 SOI(Silicon On Insulator) 시제품 개발에 국내 처음으로 성공, 본격적인 상용화 작업에 나선다고 11일 밝혔다.

LG실트론은 지난 95년부터 약 30억여원을 투자해 미국의 한 벤처기업과 공동으로 SOI 웨이퍼 시제품을 개발, 올해부터 2년여간 총 3백40억원의 시설 투자를 통해 양산라인을 설치하고 오는 2000년부터 본격적인 양산에 나설 방침으로 알려졌다.

SOI웨이퍼는 기존 웨이퍼 내부에 절연층을 형성시킨 것으로 에피택셜 웨이퍼와 함께 1GD램 이상의 초고집적 메모리 반도체 제조에 사용될 것으로 예상되는 신개념 차세대 웨이퍼 기술의 하나다.

특히 SOI웨이퍼는 기존 웨이퍼에 비해 6배 이상의 높은 가격을 형성하고 있어 적용 분야가 매우 제한적이기는 하지만 메모리의 고집적화가 진전될 경우 0.2이하의 공정이 요구되는 1기가급 이상의 메모리 반도체는 물론 저전력과 저전압의 특성을 휴대형 정보통신기기용 반도체 소자 생산에 폭넓게 사용될 것으로 전망된다.

특히 이번에 LG실트론이 개발한 SOI웨이퍼는 독자 개발한 공정을 채용, 생산성이 매우 높고 절연층 상부 두께의 균일성이 우수하다고 설명했다.

시장조사기관의 예측에 따르면 SOI웨어퍼의 전체 세계시장 규모는 97년 2천만달러에서 오는 2002년 약 2억5천만달러 규모로 급성장할 전망이다.

한편 LG실트론은 13일부터 미국에서 열리는 세계 최대 규모의 반도체 장비 및 소재 전문 전시회인 「세미콘 웨스트 98」에 이 제품을 전시, 반도체업체들을 대상으로 본격적인 마케팅을 시작할 계획이다.

<최승철 기자>

* 용어해설-SOI웨이퍼

실리콘 반도체를 만드는 데 이용되고 있는 현재의 실리콘 웨이퍼의 표면은 밑부분(기층부)에 여러 가지 형태의 결함이나 불순물이 들어 있는 경우가 적지 않기 때문에 초미세 회로 가공을 필요로 하는 기가급이상의 초고집적 반도체 제조에는 적절치 않다는 것이 통설이다.

SOI웨이퍼는 이같은 한계를 극복하기 위한 방법으로 개발된 것이다.

즉 웨이퍼 표면과 기층부 사이에 인위적으로 절연층을 형성시켜 기층부로부터 발생하는 영향을 원천적으로 제거해 절연체 위에 형성된 고순도 실리콘 층의 가공효율과 특성을 크게 향상시키는 기술이라고 설명할 수 있다.

기존 실리콘웨이퍼 위에 화학증착법을 이용, 또다른 단결정막을 성장시킴으로써 표면결함을 줄이고 전기적 특성을 개선한 「에피텍시얼 웨이퍼」와는 표면결함 해결을 위한 기술적 접근 방법에서 차이를 보이고 있다.

SOI웨이퍼는 절연체(열산화막)로 차단된 얇은 무결점 실리콘층을 제공하기 때문에 일부 공정을 줄일수 있다는 점이 최대 강점이다. 이 경우, 반도체 소자업체는 제품 개발 및 생산기간과 비용을 줄일 수 있는 것은 물론이고 현재의 장비를 그대로 활용할 수 있어 설비투자에 대한 부담이 크게 경감된다는 설명이다.