반도체업계, "RTP시스템" 속속 도입

반도체업계가 고집적 반도체 제조 과정중 미세 산화막 형성에 사용되는 차세대 장비인 RTP(Rapid Thermal Processing) 시스템의 도입을 본격화하고 있다.

9일 관련 업계에 따르면 삼성전자, 현대전자, LG반도체, 아남반도체 등 국내 반도체 4사는 최근 64MD램 3세대급 이상의 고집적 반도체 생산 라인에 이온 주입후 어닐링(Annealing) 작업 및 각종 미세 산화막 증착에 사용되는 고속 열처리장비인 RTP 시스템을 적극 채택하고 있다.

RTP시스템은 반도체 회로 선폭의 미세화 추세로 기존의 수직형 퍼니스(Vertical Diffusion Furnace)로는 작업할 수 없게된 각종 미세 웨이퍼 산화막 증착 공정을 순간 고열처리 및 균일한 열투사 기능을 통해 수행하는 차세대 반도체 장비이다.

이 때문에 RTP 시스템은 ASIC 등 주요 시스템IC 분야는 물론 0.25 미크론 이하 수준의 미세 회로선폭이 요구되는 64MD램 3세대 제품부터 본격 채용돼 기존의 수직형 퍼니스 제품을 빠르게 대체해 나갈 것으로 전망된다.

실제로 국내 반도체 생산 업체들도 그동안 비메모리 라인과 연구소 등을 중심으로 도입하던 RTP시스템을 최근 일반 메모리 라인으로까지 확대 채용하고 있으며 이미 40여대 이상의 장비가 국내 메모리 및 비메모리 생산 라인에 공급된 것으로 알려졌다.

이처럼 RTP장비의 양산 라인에의 도입이 최근 본격화됨에 따라 이 제품을 생산하는 장비 업체간 시장 경쟁도 치열해지고 있다.

세계 최대 장비 업체인 어플라이드머티리얼즈는 이미 지난해부터 RTP 장비를 본격 국내 공급하기 시작한데 이어 최근에는 3백㎜용 제품을 개발, 각종 전시회를 통해 소개하는 등 이 분야 영업을 대폭 강화하고 있다.

독일 반도체 장비 업체인 슈테아그도 지난해 RTP 시스템 전문업체인 AST사를 인수하며 이 시장에 참여, 최근 섭씨 1백50도까지 순간 상승시킬 수 있는 0.18미크론 공정용 RTP 제품을 출시했다.

장비 업계 한 관계자는 『RTP 장비의 경우 최근 이온 주입후 어닐링과 모니터링 작업은 물론 코발트, 티타늄 등의 미세 산화막과 메탈층 증착 공정으로까지 확대 적용되고 있어 향후 2백56MD램 생산 설비부터는 RTP 장비의 수요가 현재 보다 3∼4배 가량 크게 늘어날 것』으로 전망했다.

<주상돈 기자>