업계, 256MD램 양상계획 속속 발표

국내 반도체업체들을 비롯한 세계 메모리업체들이 메모리분야 불황 타개책으로 인위적인 메모리 세대교체 방안을 채택하면서 속속들이 2백56MD램 양산 계획을 발표하고 있다.

지난달 히타치를 시작으로 한국의 삼성전자, LG반도체, 현대전자와 일본의 NEC, 도시바, 미쓰비시 등 세계 D램 선두업체들이 내년 양산을 목표로 하는 2백56MD램 생산 계획을 발표했다.

이는 예정보다 2백56MD램 양산을 2년정도 앞당긴 조치로 현재 주력제품인 16MD램에 이어 아직 비트크로스가 발생하지도 않은 64MD램, 그리고 2백56MD램 양산까지 중간매개 제품인 1백28MD램 시장을 건너뛰겠다는 의지로 받아들여진다.

삼성전자(대표 윤종용)는 지난달 차세대 메모리반도체인 2백56M 싱크로너스 D램 시제품 생산에 성공하고 세계 주요 PC업체들에 샘플을 공급했다고 발표했다. 삼성전자는 특히 기존 2백㎜ 웨이퍼 공정을 그대로 이용해 생산한다고 설명, 3백㎜ 공정을 도입하려는 국내외 반도체업체들에 충격을 주고 있다. 삼성전자는 2백56MD램을 빠르면 올해 말, 늦어도 내년초부터 양산한다는 방침이다.

현대전자(대표 김영환)는 내년 2, Mbps분기부터 2백56MD램을 생산한다는 계획이다. 현대전자는 최근 투자가 재개된 스코틀랜드 공장에 64MD램을 생산하겠다는 기존 방침을 수정, 3백㎜ 웨이퍼 공정과 2백56MD램 생산설비를 도입하고, 최근 가동에 들어간 유진공장에서도 2백56MD램 공정도입을 신중히 검토중인 것으로 알려졌다.

차세대 반도체로 램버스 D램에 무게를 싣고 있는 LG반도체(대표 구본준)는 올해 말 2백56 싱크로너스 D램 샘플을 공급할 예정이다. 램버스 D램 개발과 관련해서는 LG반도체가 64MD램을, 히타치가 2백56MD램을 분담 개발해 상호 기술을 이전해 개발비를 분담하는 방식을 채택하고 있다.

NEC, 히타치, 도시바 등 일본 메모리업체들도 올해 말 2백56MD램 샘플을 개발하고 내년 중반 이후 양산제품을 공급한다는 계획이다. 미쓰비시는 이미 2백56M EDO D램 샘플을 출하중이며 내년경 양산을 계획하고 있는 것으로 알려졌다.

이처럼 세계 반도체업체들이 시장흐름을 무시하고 인위적인 세대교체를 감행하려는 것은 최근 시장상황 전개로 볼 때 64MD램, 1백28MD램 등 수익을 기대하기 어려운 시장은 인위적으로 축소하고 수익성이 기대되는 2백56MD램시장에서 승부를 걸겠다는 의도로 풀이된다. 실제로 이미 64MD램 가격은 수익을 낼 수 있는 마지노선인 13달러 이하로 떨어져 비트크로스가 발생한다해도 수익을 기대하기 어려운 실정이다.

업계 전문가는 『반도체 업체간 감산을 통한 가격 부양은 대만업체들의 시장참여로 기대하기 어렵다』며 『이제는 차세대 메모리를 다른 업체보다 조기에 양산, 투자비를 회수하는 길만이 유일한 생존전략이 될 것』이라고 밝혔다.

세계 메모리 선두업체들의 이같은 전략에 따라 메모리 양산기술과 자금력이 부족한 메모리업체들의 사업 퇴출이 잇따를 것으로 전망된다.

<유형준 기자>