삼성전자, 256MD램 세계 첫 생산

삼성전자(대표 윤종용)가 세계 처음으로 신문 2천쪽 이상을 저장할 수 있는 차세대 메모리반도체 2백56M D램 생산에 성공했다. 특히 이번 2백56MD램 생산은 당초 예상보다 2~3년, 외국 경쟁사보다 최소 1년 이상 앞선 것으로 삼성전자는 향후 메모리반도체시장 주도권 경쟁에서 유리한 입지를 확보할 수 있게 됐다.

삼성전자는 2세대 2백56M 싱크로너스D램 반도체 생산에 성공, IBM을 비롯해 휴렛패커드, 컴팩, 인텔, 선마이크로시스템 등 7개 주요 컴퓨터업체에 샘플을 공급한다고 29일 발표했다.

이에 따라 삼성전자는 이르면 올해 하반기, 늦어도 내년 초부터 2백56MD램 양산에 착수할 예정이다.

현재 외국 경쟁업체 중에서는 일본의 일부 반도체업체가 내년 하반기를 목표로 2백56MD램 개발을 추진중인 것으로 알려지고 있다.

삼성전자의 2백56MD램 조기 생산은 16M 및 64MD램 가격의 동반하락으로 인한 채산성 악화를 막고 제품의 부가가치를 높여 D램 시장의 우위를 굳히겠다는 전략으로 분석된다.

더욱이 메모리 반도체의 세계 선두업체인 삼성전자가 64M와 1백28MD램의 조기 출하에 이어 2~3년 후로 예상됐던 2백56MD램을 서둘러 시장에 출하함에 따라 D램의 세대교체 사이클이 더욱 빨라질 전망이다.

특히 이 제품은 0.18미크론(1백만분의 1미터)의 고난도 초미세 가공기술을 이용해 생산되는 최초의 반도체 제품이며 경쟁사 대비 최소 1년 이상 앞선 첨단 공정기술이다.

또한 2백56M 이상의 D램은 3백mm 대구경 웨이퍼 가공설비와 0.18미크론 이하의 미세공정기술로만 가능하다는 통념을 깨고 기존 2백mm 웨이퍼 설비를 이용한 양산기술을 확보, 차세대 제품 생산시설 자금에 대한 부담을 덜게 된 것은 물론 원가경쟁력도 확보할 수 있게 됐다.

이 제품은 특히 기존 64MD램과 같은 사이즈인 1.016×2.032cm로 설계돼 64M와 1백28M를 사용하는 컴퓨터에 그대로 사용할 수 있다는 것이 장점이다.

처리속도도 메모리 반도체 가운데 가장 빠른 1백67MHz이며 1개 모듈당 8개 반도체를 양면 2층으로 탑재할 수 있어 1슬롯당 최대 1GB까지 용량을 확장할 수 있다. 소비전력은 1백28MD램의 79%에 불과한 70mA이다.

<최승철 기자>