삼성전자, 64MD램 이상 반도체 제조용 "웨이퍼 가공기술" 수출

삼성전자가 64MD램 이상의 고용량 메모리 반도체 제조에 사용되는 고효율 반도체 웨이퍼 가공기술을 개발, 외국 웨이퍼 가공업체에 고액의 기술료를 받고 수출한다.

삼성전자(대표 윤종용)는 64M와 2백56MD램 등 차세대 반도체를 제조할 수 있는 고효율 웨이퍼 가공기술인 「삼성 웨이퍼」를 개발, 세계 최대의 반도체 웨이퍼가공업체인 일본의 신에쯔, 미쯔비시사 등과 각각 수백만 달러의 기술 사용계약을 체결했다고 25일 밝혔다.

메모리 반도체가 16M에서 64MD램 이상으로 고집적화하면서 기존 실리콘 웨이퍼에 존재하는 표면결함(COP) 때문에 반도체 수율이 크게 저하됐다. 이를 해결하기 위해 일본 반도체업체들은 기존 실리콘 웨이퍼의 표면을 한번 더 화학처리해 매끄럽게 만든 이른바 에피 웨이퍼를 개발해 64MD램에 사용하고 있다.

하지만 에피 웨이퍼는 화학처리공정 때문에 기존 웨이퍼에 비해 기존 웨이퍼에 비해 30~50%정도 비싸고 화학처리 과정에서 발생하는 오염물질 때문에 전반적인 반도체 생산 원가가 크게 높아지는 결정적인 단점을 가지고 있다.

반면 삼성이 개발한 새로운 웨이퍼 가공 기술은 실리콘 원료의 배합시에 발생하는 기포(물방울)를 최소화시켜 추가적인 표면가공없이 고용량 반도체 제조에 적용할 수 있으면서도 생산원가 상승 요인이 기존 웨이퍼보다 10% 이하에 불과하다는 설명이다.

삼성전자는 「인성속도 최적화 기술」등 신규격 웨이퍼 제조기술과 관련된 특허 2건을 국내와 미국 등 8개국에 출원했다.

삼성전자는 이번에 개발된 「삼성 웨이퍼」의 저결정결함 웨이퍼 기술을 더욱 발전시킨 무결정결함 웨이퍼 기술인 「삼성 웨이퍼 Ⅱ」기술 개발을 진행중이다.

<최승철 기자>