LG반도체, 반도체 0.13μ공정 개발

LG반도체가 4기가D램 제품 개발 및 제조에 사용되는 0.1미크론 이하의 노광기술과 0.13미크론급의 초미세 회로선폭 가공기술 개발에 성공, 차세대 반도체 개발경쟁에서 유리한 입지를 확보했다.

LG반도체(대표 구본준)는 포항공대와 산, 학협동으로 X선 노광기술을 이용해 4GD램 제품개발에 사용할 수 있는 0.13미크론(1미크론은 1백만분의 1m)급의 차세대 상보성금속산화막(CMOS)소자 제조공정을 국내 처음으로 개발했다고 25일 발표했다.

이 기술은 현재 2백56MD램 반도체 제작에 사용되는 0.25미크론급 미세회로선폭 공정보다 16배 이상의 높은 집적도를 가진 기술이다.

특히 현재 메가급 반도체 노광공정에 사용되는 자외선 노광기술을 대체할 것으로 예상되는 X선 노광기술과 이를 토대로 한 미세공정기술을 개발함에 따라 기가급 이상의 차세대 D램 개발 경쟁에서 앞서갈 수 있는 기틀을 마련한 것으로 평가된다.

X선 노광기술은 IBM, NTT, 미쯔비시 등 미국과 일본의 10여개 업체가 연구 개발에 나서고 있으나 아직까지 실질적인 성과를 거두지 못하고 있는 차세대 반도체 기반기술이다.

LG반도체는 이 기술을 기가급 D램 반도체 개발과 고성능, 저전력형 로직 반도체 개발에 적용할 경우, 제품 개발 기간을 대폭 단축할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

4G 이상의 D램 제조에 사용될 것으로 예상되는 X선 노광기술 개발을 지난 95년부터 공동 추진해온 LG반도체와 포항공대는 96년 말 0.13미크론급 노광기술 개발에 이어 이번에 당초 계획보다 6개월 앞당겨 0.1미크론 이하의 노광기술과 0.13미크론급 CMOS소자 제조공정을 개발했다.

특히 이 기술은 기존 반도체 양산라인의 노광기술을 최대한 활용하면서 기존의 노광기술이 부적합한 일부 공정에 포항공대 연구소의 X선 노광장치를 이용한 노광 기술을 혼용해 사용할 수 있는 방식으로 개발돼 투자비와 기간을 대폭 줄였다.

0.13미크론급 공정은 반도체 고집적화에 따라 중요성이 부각되고 있는 저소비전력화에 대응할 수 있도록 1.2볼트의 저전압 CMOS동작이 가능하다는 점이 특징이다.

LG반도체는 X선 노광기술 개발에 지난 3년간 약 60억원의 연구개발비를 투입했으며 그동안 해외 특허 9건을 포함해 총 24건의 국내외 특허를 출원했다고 밝혔다.

<최승철 기자>