일 후지쯔, 플래시 메모리 증산

일본 후지쯔가 플래시메모리를 증산한다.

「日本經濟新聞」에 따르면 후지쯔는 미국 어드밴스트 마이크로 디바이시스(AMD)와의 합작공장에 0.25미크론급 미세가공기술의 새 생산라인을 건설, 생산규모를 내년 말까지 현재의 약 2배로 늘린다.

후지쯔의 이번 증산 결정은 최근들어 플래시메모리가 디지털카메라, 개인휴대정보단말기(PDA) 등의 데이터 저장용을 중심으로 수요가 크게 늘고 있기 때문인데 후지쯔는 주로 대용량, 저전압 제품을 양산해 데이터 저장용 플래시메모리시장에서의 경쟁력을 높여나갈 방침이다.

후지쯔는 새 라인을 후지쯔와 AMD의 합작공장인 후지쯔, AMD세미컨덕터사 내에 구축하며 내년 초 착공해 연내에 가동할 예정이다.

투자액에 대해서는 아직 검토중에 있으나, 0.35미크론급 생산라인 건설에 약 3백억엔이 소요된 바 있어 최소한 그 이상의 비용이 투자될 것으로 보고 있다. 새 라인을 통해 생산되는 품목은 회로선폭 0.25미크론, 전압 1.8V의 저전압 플래시메모리로 8M와 16M급이 중심이 될 전망이다.

현재 후지쯔, AMD세미컨덕터의 생산규모는 4M 환산 월 9백만개로 새 라인이 본격 가동되는 99년 3월에는 월 생산규모가 1천9백만∼2천만개로 확대될 것으로 보인다.

<심규호 기자>