현대전자, 초미세회로 현상 장비 개발

현대전자(대표 정몽헌)가 美램리서치社와 공동으로 0.12미크론의 초미세회로 형성이 가능한 차세대 현상장비를 개발했다고 28일 발표했다.

이번에 개발한 제품은 감광막이 도포된 웨이퍼를 노광시켰을 때 노출부분만 선택적으로 실리콘을 확산시킬 수 있는 실리레이션 반응기와 그 다음 공정인 산소 플라즈마를 이용한 건식식각 공정장비를 통합한 새로운 개념의 장비로 기존에 문제점으로 지적돼온 회로선폭 균일성과 재현성 등의 성능을 강화시킨게 특징이다.

최근 1기가D램에 적용이 가능한 감광제를 개발한 현대는 이 차세대 현상장비의 개발로 기존 64D램 생산시설(KrF)을 활용해 최고 4기가D램 및 차세대 비메모리 제품의 제조가 가능하며 생산원가도 대폭 절감할 수 있을 것으로 보고 있다.

현대전자 메모리연구소의 한 임원은 『국내 반도체업체들이 전공정 핵심장비의 대부분을 해외유력 장비업체들에게 의존해 차세대 메모리개발, 생산경쟁에서 장비의 수급차질의 우려가 큰게 사실』이라며 이번 초미세 현상장비의 공동개발로 장비공급 우선권 확보와 기술력 제고가 가능하게 됐다고 밝혔다.

<김경묵 기자>