대만 D램업체들이 0.35미크론 미세가공기술 도입을 본격화하고 있다.
일본 「電波新聞」에 따르면 TI에이서와 뱅거드 인터내서널 세미컨덕터가 올 2.4분기 중에, 모셀 바이테릭스와 파워칩 세미컨덕터가 올해안에 각각 0.35미크론 수준의 미세가공기술을 이용해 16MD램을 생산한다.
미 TI와 대만 에이서의 합작업체인 TI에이서는 현재 0.35 미크론 미세가공기술을 사용해 16MD램을 시험생산하고 있다. TI에이서는 올 2.4분기 중에 본격 양산에 들어갈 계획으로, 3.4분기까지 월 8백만개의 16MD램을 0.35미크론 가공기술을 활용해 생산할 방침이다.
뱅거드 인터내셔널 세미컨덕터는 일부 16MD램 생산라인에 0.37미크론 가공기술을 도입하고 있는데, 올 2.4분기부터는 기존 0.5미크론, 0.4미크론 라인을 모두 0.37미크론급으로 전환해 나갈 방침이다.
또 모셀 바이테릭스와 파워칩 세미컨덕터도 최근 16MD 생산라인을 0.35미크론급 미세가공라인으로 교체하고 있어 올해 안에 0.35미크론 라인을 이용한 16MD램 생산을 개시할 것으로 보인다.
<심규호 기자>
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