日히타치, 액세스시간 150나노초 EEP롬 개발

일본 히타치제작소가 패러럴 입출력형으로는 업계 최초로 전압 2.2V에서 액세스시간 1백50나노초를 기록하는 EEP롬을 개발했다.

「電波新聞」에 따르면 히타치는 패러럴 입출력형으로 전압 2.2V, 액세스시간 1백50나노초를 실현한 저전압, 고속 64K/2백56K EEP롬인 「HN58S65A/HN58S256A」시리즈와 2.7-5.5V, 70나노초의 64K EEP롬인 「HN58V65A/HN58V66A」시리즈를 개발하고 오는 3월부터 샘플 출하에 들어간다.

히타치의 「HN58S65A/HN58S256A」시리즈는 소비전력이 3.6V에서 최대 12밀리 암페어에 불과하며, 「HN58V65A/HN58V66A」시리즈는 5V 작동시 70나노초, 2.7-4.5V 작동시 1백나노초의 액세서 시간을 실현했다.

가격은 5백엔-1천2백엔으로 히타치는 오는 10월까지 월 40만개 생산체제를 구축할 방침이다.

EEP롬은 전원이 끊어져도 데이터를 보존하는 불휘발성메모리로 1 바이트단위로 데이터를 고쳐 넣을 수 있어 휴대전화의 ID코드 및 단축다이얼 의 기록용으로 널리 이용되고 있다. 최근들어 전지의 장시간 사용을 위한 시스템의 저전압화가 추진되면서 EEP롬에도 저전압, 고속액세스의 요구가 강해지고 있다.

<심규호 기자>