ISSCC서 첨단 반도체 기술 대거 발표

반도체 산업의 미래를 예측할 수 있도록 하는 첨단 기술들이 지난주 폐막된 국제고체회로회의(ISSCC)에서 대거 발표됐다고 주요 외신들이 일제히 보도했다.

지난 6일부터 3일간의 일정으로 미국 샌프란시스코에서 개최된 이 회의에는 세계 주요 반도체 관련업체들이 참가해 마이크로프로세서, 메모리, 웨이퍼 등 다양한 분야의 최첨단 기술들을 대거 발표, 반도체 산업의 미래를 가늠할 수 있는 자리가 됐다는 평가를 받았다. 인텔 등 마이크로프로세서 제조업체들은 초고속 MMX 칩 기술을 발표,멀티미디어 기능을 강화한 프로세서가 시장의 주류가 되고 있음을 반영했다.

인텔은 3백∼4백MHz의 클록주파수를 갖는 P6급 MMX 칩을 발표했고, 디지털 이퀴프먼트사는 참가업체중 가장 빠른 5백50∼6백MHz의 멀티미디어용 알파칩을 발표했다.

이밖에 인텔 호환칩 업체인 어드밴스트 마이크로디바이시스(AMD)는 8백80만개의 트랜지스터를 집적시키고 2백MHz의 클록주파수를 갖도록 한 K6 MMX칩을 발표했다. 메모리 분야에서는 일본 NEC가 지금까지 발표된 기술중 최고 집적도를 실현한 4GD램 기술을 발표했다.

NEC는 47분간의 비디오 정보를 저장할 수 있는 이 제품을 오는 2000년 샘플 출하를 거쳐 2002년부터 양산한다는 목표로 2천억엔을 투자할 계획이다.

이 회사는 또 MPEG2 엔코더회로를 윈칩화한 LSI(대규모집적회로)도 발표했다. 이 LSI는 기존에 3개칩으로 구성됐던 엔코더를 원칩화한 것으로 내년에 상품화될 예정인데 기기의 소형화와 가격 절감에 기여할 것으로 전망된다.

한편, 일본 NTT는 초저전압에서 작동할 수 있는 SOI(실리콘 온 인슐레이터)웨이퍼 제조기술 등을 선보였다.

<오세관, 심규호 기자>