[용어교실] 에칭

에칭(etching)이란 반도체소자의 제조공정상에서 웨이퍼표면에 회로의 配線패턴을 형성, 蝕刻하는 것을 말한다.

에칭이란 트랜지스터 集積회로 등 반도체디바이스를 제조하는 공정에서 실리콘웨이퍼로 부터 前工程이라고도 불리는 웨이퍼프로세스를 거쳐 만들어진반도체單結晶웨이퍼에 薄膜형성·리소그라피·에칭·이온(ion)주입 등의 要素기술이 가해지는 要素프로세스 중의 한 공정이다.

에칭은 반도체디바이스제조에 매우 중요한 기술로이며, 웨이퍼표면에 부착된電極재료를 선택적으로 蝕刻하는 공정으로서, 종래엔 화학약품을 사용하는웨트(wet)에칭법으로 해 왔으나 70년대 중반경부터 회로패턴의 미세化·高精度化 요구에 따라 드라이(dry)에칭법이 진척돼 왔다.

웨트에칭은 에칭용 재료간의 선택性은 높으나 마스크材(회로패턴이나 기타모양을 그린 유리 또는 합성石英유리 등)의 아래로 에칭液이 들어가 언더컷(under cut)이 생기기 때문에 근래의 超高集積회로(V_LSI)제작에서는 거의 사용하지 않고 있으며, 기체 중에서의 물리적·화학적 작용을 이용하는드라이에칭이 주로 사용되고 있다.

웨트에칭은 强酸에 의한 화학적 작용으로 等方性에칭이 진행되기 때문에마스크의 아래부분도 蝕刻되는 단접이 있는데, 드라이에칭은 할로겐化物 등의 화학적 활성가스를 플라즈마상태로 해 플라즈마 중의 이온의 작용에 의해에칭하는 반응성 이온에칭(reactive ion etching)법으로서, 基板面의 수직방향으로만 蝕刻이 진행되는 異方性에칭이 실현되기 때문에 언더컷이 없는 高精度의 미세가공에 적합한 에칭기술이다.