일 미쓰비시, 플래시메모리 데이터소거 방법 개발

일본 미쓰비시전기는 플래시메모리에 축적된 데이터의 고쳐쓰기횟수를 현재의 10배로 향상시킬 수 있는 새로운 방법을 개발했다.

"일본경제신문"의 최근 보도에 따르면 미쓰비시전기는 데이터의 소거및 고쳐 쓰기때 전극에 가해지는 높은 전계강도를 종전의 4분의 1정도로 억제하는데 성공, 1백만회의 데이터고쳐쓰기를 가능케 했다.

미쓰비시의 플래시메모리는 DIROR형 방식으로 절연체에 둘러싸인 전극내에 전자를 주입하면 정보가 소거되고 반대로 전자를 빼면 정보가 기록된다.

이번에 미쓰비시가 개발한 방법은 전자의 주입방법을 변경한 것으로 일정한 확률로 발생하는 높은 에너지상태의 "핫일렉트론"을 이용했다. 이와 동시에 전자의 공급원이 되는 N형층과 전극의 거리를 떼어 놓음으로써 전극에 도달 하기까지 충분히 가속할 수 있도록 설계변경했다. 이 두가지를 개선함으로써 전극자체에 걸리는 전계를 3V정도로 낮춰 수명을 연장한 것이다.

<주문정기자>