일본 미쓰비시전기는 원 트랜지스터 플래시메모리셀을 실현하는 플래시메모 리의 기본특허를 취득했다고 발표했다.
일본 "전파신문"의 최근 보도에 따르면 현재 주류를 이루고 있는 2전원형의 부정논리합(NOR)형 플래시메모리는 모두 미쓰비시의 특허에 포함되어 있는것으로 알려졌다.
이번에 미쓰비시가 취득한 특허는 플래시메모리를 실현하기 위한 메모리셀구 조와 그 기본동작에 관한 것으로 원트랜지스터의 플래시메모리셀을 가능케 하는 기술이다.
<주문정기자>
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