<용어교실> CVD

CVD란 chemical va-por deposition의 약어로 화학적기상성장법을 말하는데반도체기판상에 화학반응을 이용해 실리콘(SiO⁴) 등의 박막을 형성시키는 공정을 말한다.

반도체기판상에박막을 형성시키는 방법인 CVD는 기판표면의 배선.전극 등에다른 종류의 가스와 고체 또는 가스와 액체의 화학반응에 의해 생성되는 박 막퇴적물질을 부착시키는 공정상의 방법을 말한다.

반도체기판에박막을 형성하는 방법에는 기판상에 금속을 물리적으로 퇴적형성시키는 PVD(p-hysical vapor deposition)법과 화학반응을 이용하는 CVD법 이 있는데 CVD법에는 반응온도를 낮추는 방법으로서 저온플라즈마속에서 활성종 씨앗재료 의 기상반응을 이용한 플라즈마CVD법과 광에너지조사에 의한 화학반응을 이용하는 광CVD법이 있다.

기상성장에사용되는 원료로는 주로 휘발성의 산소나 다른 가스와 열분해반응 열산화 을 이용해 산화물을 형성시키는 실리콘, 게르마늄, 인, 붕소 등이있다. LSI(고집적회로반도체)제조공정에서 기판에 배선을 형성한 후 표면보호막으 로 PSG(phos-pho silicate glass) 또는 BPSG(borophosphosilicate glass)가 CVD법에 의해 형성된다. 또 각층간 절연막으로서 0.5umm의 PSG.BPSG절연막이 CVD법에 의해 형성되기도 한다.

반도체집적회로의소자간 분리 또는 디바이스의 보호(participati-on)막에는 규소(Si)를 열산화시키거나 CVD법에 의해 만들어지는 실리콘(SiO⁴)막이 대표적으로 응용되고 있다.