삼성종기원 펌프레이저 다이오드 및 모듈개발

삼성종합 기술원(대표 하성한)은 1년3개월 동안 10억원의 개발비를 들여 광섬유증폭기의 여기(여기:E.citation)용 광원으로 사용되는 파장 9백80나노미터 (nm)의 펌프레이저 다이오드 및 모듈을 최근 개발 하는데 성공했다고 27일 밝혔다. 삼성이 개발한 펌프레이저 다이오드는 발진개시 전류가 15㎀이하로 낮은 데다 레이저반사거울에 5%에서 90%의 무반사 및 고반사 코팅처리를 해 0.8mW/ mA의 광전환효율 및 1백50mW이상의 단일모드 광출력을 실현한 점이 특징이다 이를 활용한 펌프레이저 다이오드 모듈은 반도체소자에서 발생하는 열을 효과적으로 분산시키기 위해 열전냉각소자를 사용했으며 광접속효율을 40% 이상으로 향상시키고 광섬유출력을 40mW로 높인 것이 특징이다.

광섬유증폭기의광원인 펌프레이저 다이오드는 레이저의 발진파장요구범위가 아주 좁고 높은 광섬유출력이 요구돼 소자제작 및 패키징시 고도의 기술을 필요로하는 핵심부품이다.

파장9백80나노미터의 펌프레이저 다이오드 모듈은 미국의 레이저트론사. 스 펙트라 다이오드사등 일부선진업체만이 생산하고 있는 개당 6천~1만달러상당 의 고부가제품으로 이번 개발로 광섬유증폭기의 국산화율을 크게 높이고 광 전송시스템의 수출경쟁력도 높일 수 있게 됐다.

삼성종합기술원은이번 개발과 관련해 국내외에 20여건의 특허를 출원했으며 앞으로도 광섬유출력의 향상을 위해 지속적으로 연구할 계획이다.