로옴(ROHM)은 xEV(전기차)용 트랙션 인버터를 비롯한 차량용 전동 파워 트레인 시스템 및 AI 서버 전원, 데이터 센터 등의 산업기기용 전원에 최적인 최신 EcoSiC™, '제5세대 SiC MOSFET'을 개발했다고 밝혔다.
최근 산업기기 분야에서는 생성형 AI와 대규모 데이터 처리 확산에 따라 고성능 서버 도입이 빠르게 증가하고 있다. 이들 시스템은 높은 전력 밀도로 인해 전력망 부담과 지역별 수급 불균형 문제가 제기되고 있다. 이에 태양광 등 재생에너지와 전력망을 결합한 스마트 그리드가 대안으로 주목받고 있지만, 에너지 변환·저장 과정에서의 손실 저감은 여전히 과제로 남아 있다.
자동차 분야에서도 차세대 전기차를 중심으로 주행거리 확대와 충전 속도 개선을 위해 인버터 저손실화와 차량용 충전기(OBC) 성능 향상이 요구되고 있다. 이러한 흐름 속에서 수kW~수백kW급 대전력 환경에서도 고효율과 저손실을 동시에 구현할 수 있는 SiC 디바이스 적용이 확대되고 있다.
로옴은 제5세대 SiC MOSFET의 개발에 있어서 소자 구조의 개선 및 제조 프로세스의 최적화를 통해 파워 일렉트로닉스 회로의 실제 사용 환경에서 중요시되는 고온 동작 시 (Tj=175℃)의 ON 저항치를 기존의 제4세대 제품 대비 약 30％ 저감했다(동일한 내압 및 칩 사이즈 제품 비교). 이에 따라, xEV용 트랙션 인버터 등 고온 환경에서 사용되는 어플리케이션에서 유닛의 소형화 및 고출력화에 기여한다.
제5세대 SiC MOSFET는 2025년부터 베어칩 샘플의 제공을 시작하고, 2026년 3월에 개발을 완료했으며 2026년 7월부터는 제5세대 SiC MOSFET를 탑재한 디스크리트 및 모듈의 샘플 제공도 개시한다.
한편, 로옴은 라인업 확대와 더불어, 풍부한 설계 툴을 전개하여 어플리케이션 설계의 서포트 체제를 강화해 나갈 예정이다.
유은정 기자 judy6956@etnews.com
