
중국이 최첨단 반도체 제조에 필요한 극자외선(EUV) 노광장비 시제품을 개발한 것으로 알려졌다.
로이터는 중국이 선전 보안 연구시설에서 EUV 노광장비 시제품을 완성해 시험 가동 중이라고 17일(현지시간) 보도했다.
이번 프로젝트는 중국공산당 중앙위원회 산하 중앙과학기술위원회(CSTC) 주도로 6년간 비밀리에 추진됐다.
네덜란드 ASML 출신 엔지니어를 비롯해 수천명의 연구진이 참여했다. 화웨이도 장비, 소재, 칩 설계· 생산 등에 깊게 관여했다.
이들은 ASML EUV 장비를 역설계해 올해 초 시제품을 완성했다. EUV 광원 생성에는 성공했지만 아직 실제 작동하는 반도체 칩을 생산하지는 못한 상태인 것으로 전해졌다.
중국은 해당 장비를 고도화해 2028년 상용화하는 것을 목표로 삼고 있다.
다만 로이터는 프로젝트에 정통한 관계자를 인용해 기술적 난도를 고려하면 2030년이 현실적 시점이라고 설명했다. 초정밀 광학계 확보가 가장 큰 난관이라는 분석이다.
박진형 기자 jin@etnews.com





















